《Sensors and Actuators A: Physical》：Enhancing self-powered and temperature-stabilised Mg-doped GaN photodetector by introducing a built-in electric field from InAlN/Mg-doped GaN heterojunction
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基于InAlN/Mg-doped GaN异质结的自供电紫外光电探测器性能优异，在零偏压340 nm下实现35.12 mA/W响应度和1.63×1011 Jones检测度，较传统器件提升五倍以上，且在293-398 K宽温区及无封装条件下保持稳定工作。
王辉|赵恩勤|岳志刚|魏帅康|张显|李成功|苏宇飞|刘王辉|赵阳
中国河南省科学技术大学物理与工程学院光电储能材料与应用重点实验室，洛阳471023
摘要
本文报道了一种基于InAlN/Mg掺杂GaN异质结的自供电紫外光电探测器。得益于异质结界面处的内置电场，该器件在零偏压下实现了35.12 mA W?1的响应度和1.63 × 1011 Jones的探测度（波长340 nm），相比传统的金属-半导体-金属结构Mg掺杂GaN光电探测器性能提升了五倍以上。此外，该光电探测器在293至398 K的宽温度范围内能够稳定自供电工作，并且无需封装即可保持优异的存储稳定性。这些结果表明，异质结工程是充分发挥Mg掺杂GaN在高性能和温度稳定型自供电紫外光电探测器方面潜力的有效策略。
作者贡献声明
CRediT作者贡献声明
王辉：撰写初稿、项目管理和数据整理。赵恩勤：撰写、审稿与编辑、方法论设计。苏宇飞：数据整理。刘王辉：资源提供。赵阳：资源提供与资金筹集。岳志刚：撰写、审稿与项目管理。魏帅康：资源提供与方法论设计。张显：数据分析与数据整理。李成功：数据分析。
资助信息
本研究得到了国家自然科学基金（项目编号：61674052和52002120）、河南省重点科技项目（项目编号：262102230094）、河南省科学技术大学学生研究培训计划（项目编号：2025242和2025250）以及全国大学生创新创业培训计划（项目编号：202310464053和202510464020）的支持。
利益冲突声明
作者声明他们不存在任何可能影响本文研究的已知财务利益或个人关系。
王辉（教授）：河南省科学技术大学的教授及博士生导师。曾获得河南省青年科学技术奖、河南省“优秀青年学者”称号、河南省青年骨干教师称号以及中原教育与教学领军人才称号。研究方向主要集中在半导体材料生长及相关器件开发领域，采用光辅助MOCVD技术进行了相关研究。
