FuILT-S：全芯片ILT技术，具备统一的边界修复功能以及SRAF的协同优化

《ACM Transactions on Design Automation of Electronic Systems》：FuILT-S: Full Chip ILT With Unified Boundary Healing and SRAF Co-Optimization

针对极紫外光刻（EUV）中Inverse Lithography Technology（ILT）面临的计算复杂度高和全芯片协同优化不足的问题，本文提出FuILT-S框架。该框架通过多级分区策略和GPU并行计算提升效率，结合梯度融合技术和多级修复策略解决边界缝合问题，并集成SRAF协同优化模块。实验表明，该框架在多个实际制程层中有效且可扩展。

　　

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随着技术节点尺寸的不断缩小，光刻中的掩模优化变得越来越重要。逆向光刻技术（ILT）仍然是业界采用的最可靠和性能最高的解决方案之一，但它存在显著的计算开销和复杂性问题。随着晶体管集成规模的扩大，业界开始关注提高效率和可扩展性。然而，最近的学术研究大多仍然局限于局部图案修复，而没有考虑全芯片制造条件。在这项工作中，我们提出了FuILT-S，这是一个基于ILT的全芯片掩模优化框架，它结合了亚分辨率辅助特征（SRAFs）的协同优化，以应对实际制造挑战。为了实现全芯片的可扩展性，我们采用了分而治之的思想构建了多层次分区策略，并配以工作负载分配框架，以实现高效的多GPU并行化。为了解决区域边界拼接问题，我们提出了一种梯度融合技术以及多层次修复策略。此外，通过利用融合后的梯度和掩模强度图中的丰富信息，我们将SRAF生成模块与主要布局模式进行了协同优化。实验结果表明，FuILT-S既有效又具有通用性。我们的框架开源地址为：https://github.com/OpenOPC/OpenFuILT。

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