GaN HEMT中的非阿伦尼乌斯效应（Non-Arrhenius Trapping Effects）

《IEEE Transactions on Electron Devices》：Non-Arrhenius Trapping Effects in GaN HEMTs

　　

摘要：

本文报道了在氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMTs）的漏电流瞬变（DCT）测量中观察到的非阿伦尼乌斯行为的新物理解释。研究发现，场辅助的陷阱隧穿电离过程是导致这种温度依赖性DCT测量中非阿伦尼乌斯行为的关键因素。基于费米动力学传输（FKT）的物理模拟为所测行为提供了详细的分析。本研究使用了一种特定的脉冲轮廓来表征所研究的特定陷阱。文中报告了三种不同GaN HEMT技术的DCT测量数据，以提供实验依据，帮助深入理解GaN HEMTs中的非阿伦尼乌斯行为。DCT测量和阿伦尼乌斯图通常用于分析GaN HEMTs中的缺陷动态。因此，本研究的结果和结论为陷阱特性研究领域提供了非阿伦尼乌斯行为与半导体界面附近发生的陷阱隧穿电离之间的明确联系。