在InP HBT和InP HEMT器件上实现精确的负载牵引（Load-Pull）技术，在220 GHz频率下使功率附加效率（PAE）超过30%

《IEEE Microwave and Wireless Technology Letters》：Accurate Load–Pull on InP HBT and InP HEMT Devices, Achieving Above 30% PAE at 220 GHz

该研究在220 GHz频率下实现了InP HBT和HEMT器件分别达到31.3%和26.9%的功率附加效率，通过mTRL屏蔽结构和WR4.3探针降低测量误差，最终将误差控制在±0.1%和±0.8%/±1.4%。

　　

摘要：

在这篇论文中，我们报告了一种矢量负载-牵引系统在220 GHz频率下的功率附加效率（PAE）记录：对于磷化铟（InP）异质结双极晶体管（HBT），其PAE达到了31.3%（误差范围为±0.8%）；而对于InP高电子迁移率晶体管（HEMT），PAE为26.9%（误差范围为±1.4%）。我们首先通过使用片上屏蔽的多线直通反射线（mTRL）标准来消除不必要的传播模式，并采用具有最小串扰耦合的WR4.3探针，从而将测量误差降至最低。接着，我们通过使用传统的八项mTRL方法和十六项串扰校正方法对负载-牵引数据进行了校准，最终仅得到0.4%的PAE误差。我们量化了由于绝对功率和波导校准重复性以及探针放置误差、以及50 Ω参考系统中的误差所导致的剩余测量误差。通过重复的波导和功率校准，我们获得了±0.1%的PAE不确定性。片上测量误差使得HBT和HEMT器件的PAE不确定性分别为±0.8%和±1.4%。