一种采用天线功率合成和泄漏消除技术的45纳米RFSOI CMOS工艺制造的140 GHz收发器前端

《IEEE Women in Engineering Magazine》：A 140 GHz Transceiver Front-End in 45 nm RFSOI CMOS using Antenna Power Combining and Leakage Cancellation

　　

摘要：

在本文中，我们介绍了一种采用45纳米SOI CMOS工艺制造的140 GHz收发器前端。该发射器通过使用天线上的功率合成技术和空气中的功率合成技术，在多端口槽式偶极子阵列中实现了15 dBm的EIRP（等效全向辐射功率），而无需额外的制造工艺，如背面刻蚀或介质透镜。在接收端，两个片上槽式偶极子之间的被动泄漏消除电路可以防止LNA因发射/接收泄漏而受到干扰。测得的EINF（等效各向同性噪声系数）和接收增益分别为6.2 dB和12.5 dB。整个收发器在1.8V电源下功耗为452mA，尺寸为2.5mm × 2 mm。据作者所知，这是首个在D波段频率下同时应用天线上的功率合成技术、空气中的功率合成技术以及基于天线的泄漏消除技术的收发器前端。