采用自旋涂覆SiOx辅助的喷墨打印技术，在硅太阳能电池中制备互指式的n+和p+多晶硅/SiOx接触结构，有效抑制了不必要的掺杂现象

《Advanced Materials Technologies》：Spin-On SiOx-Assisted Inkjet Printing for Interdigitated n+ and p+ Poly-Si/SiOx Contacts in Silicon Solar Cells With Suppressed Unintended Doping

　　

摘要

制造局部掺杂的多晶硅（poly-Si）钝化接触层（例如在交错背接触（IBC）太阳能电池中）是一个复杂且成本高昂的过程。喷墨打印为简化这一过程提供了有前景的途径；然而，来自液态掺杂剂的意外掺杂和交叉掺杂仍然是一个重大挑战。本研究展示了旋涂SiO_x覆盖层在抑制未打印区域中的意外掺杂以及不同掺杂剂之间的交叉掺杂方面的有效性，使得通过单次高温退火步骤即可同时形成局部n+和p+多晶硅钝化接触层。二次离子质谱（SIMS）映射显示，打印线内的掺杂浓度均匀，磷的浓度约为1 × 10²⁰ cm^?3，硼的浓度约为2 × 10²⁰ cm^?3，并且在线边缘的横向扩散非常小。更重要的是，意外掺杂浓度现在降低到了9 × 10¹⁷ cm^?3以下，仅为源掺杂浓度的0.5%。此外，打印区域内相反极性的交叉掺杂浓度也低于5 × 10¹⁸ cm^?3，不到预期掺杂浓度的2.6%。这些结果为喷墨打印在简化太阳能电池和其他电子器件制造中的应用奠定了基础。

利益冲突

作者声明没有利益冲突。

数据可用性声明

支持本研究结果的数据可向相应作者提出合理请求后获得。