对“利用ZnO/CIS异质结实现电场辅助的酶催化放大技术，用于光电化学免疫检测”的更正

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《Analytical Chemistry》：Correction to “Built-In Electric Field-Assisted Enzyme Catalytic Amplification with ZnO/CIS Heterojunctions for Photoelectrochemical Immunoassay”

【字体：大中小】 时间：2026年04月19日 来源：Analytical Chemistry 6.7

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　　本文对已发表文章进行更正，修正了ZnO/CIS异质结光驱动电荷转移机制示意图（Scheme 1和Figure 4G）中的三个错误，包括电子转移方向标注错误及内置电场描述重复段落。修正不影响主要结论，并更新了相关机制图示以保持全文一致性。

在原始文章发表后，作者发现了目录（TOC）图、图1和图4G中的三个错误，需要进行修正。这些错误主要与光驱动下ZnO和CIS之间的带边间隙电子场（BIEF）以及ZnO/CIS异质结之间的电荷转移机制及其示意图有关。值得注意的是，这些更改并不影响文章的主要结论。具体来说，我们错误地将由费米能级差引起的电子转移方向标注为了电子的实际转移方向。实际上，费米能级差导致电子从ZnO转移到CIS，形成带电双层结构，如图4G所示。在光激发下，由于内建电场的作用，电子从CIS迁移到ZnO，而光生空穴则沿相反方向移动，从而形成典型的II型异质结。最终，抗坏血酸（AA）作为空穴的耗散剂，有助于减少多余的空穴并增加半导体异质结的光电流。图1和目录中的相应机制图也已根据发现的错误和整体机制进行了修订。此外，在“结果与讨论”部分中“ZnO/CIS异质结的BIEF和能带结构”一节的第一段中，描述内建电场的句子“通过增强BIEF，异质结促进了光生载流子的分离和移动，从而提高了光电流响应。这些发现与实验观察到的光电流增强结果一致，强调了ZnO/CIS异质结的光电性能在开发高性能PEC传感器中的关键作用”在稿件中出现了重复，因此必须删除。