适用于亚6 GHz频段的无电感GaAs pHEMT SPDT开关的设计方法学，注重紧凑型结构

《IEEE Access》：Design Methodology of an Inductorless GaAs pHEMT SPDT Switch with Compact Size for Sub-6 GHz Applications

　　

摘要：

本文提出了一种用于Sub-6 GHz频段紧凑型单刀双掷（SPDT）开关的无电感设计方法。为了实现紧凑性并满足5.0 GHz以下的关键性能指标，该方法着重通过控制晶体管的栅极宽度来优化导通电阻和寄生电容之间的权衡。基于这一分析，推导出相应的设计参数，以确保低插入损耗和高隔离性能。所提出的开关采用500纳米GaAs BiFET工艺中的双栅极pHEMT实现。测量结果与仿真结果吻合良好，证实了该设计方法的有效性。该开关的工作频率范围从直流到5.0 GHz，回波损耗大于14.6 dB，插入损耗小于0.296 dB，隔离性能超过31.6 dB。此外，在4.0 GHz时测得的输入1-dB压缩点（P1dB）为32.0 dBm，证明了其出色的功率处理能力。无电感设计使得芯片尺寸仅为910 × 570 μm2，非常适合Sub-6 GHz频段的集成射频前端应用。