一种完全集成的无输出电容的LDO稳压器,采用600纳米IGZO TFT技术实现增益提升的误差放大器,适用于集成式柔性电子器件
《IEEE Journal on Flexible Electronics》:A Fully Integrated Output-Capacitor-Less LDO Regulator With Gain-Boosted Error Amplifier Using 600-nm IGZO TFTs for Integrated Flexible Electronics
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时间:2026年04月29日
来源:IEEE Journal on Flexible Electronics CS3.4
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摘要:本文介绍了一种全集成、无输出电容(FOCL)的低压降稳压器(LDO)设计,该设计采用600纳米非晶铟镓锌氧化物(IGZO)薄膜晶体管(TFT)技术在箔上实现,仅使用n沟道器件。为弥补IGZO TFT固有的低跨导特性,所提出的LDO集成了一个增益提升型误差放大器(EA),该
摘要:
本文介绍了一种全集成、无输出电容(FOCL)的低压降稳压器(LDO)设计,该设计采用600纳米非晶铟镓锌氧化物(IGZO)薄膜晶体管(TFT)技术在箔上实现,仅使用n沟道器件。为弥补IGZO TFT固有的低跨导特性,所提出的LDO集成了一个增益提升型误差放大器(EA),该放大器同样仅使用n沟道器件和集成电阻器,实现了72 dB的模拟直流增益。该稳压器在3 V输入电压(VIN)下工作时,具有2 mV/V的线压调节能力和0.75 mV/mA的负载调节能力,同时静态电流(IQ)仅为7.3 μA。该设计在1 kHz频率范围内具有53 dB的高电源抑制比(PSRR)。当响应1 mA至50 mA的负载瞬变(ΔILOAD)时,LDO的稳定时间为63 μs,并且相位裕度超过86°。与之前发布的基于IGZO的LDO设计相比,该FOCL-LDO的优值(FoM)提高了330倍,展示了其在柔性集成电路中实现全集成和电源管理解决方案的潜力。
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