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更正：“用于电子光子系统集成应用的室温高性能InP/Si表面活化晶圆键合技术”
《ACS Applied Electronic Materials》：Correction to “Room-Temperature High-Performance InP/Si Surface-Activated Wafer Bonding for Electronic-Photonic System Integration Applications”
【字体： 大 中 小 】 时间：2026年04月30日 来源：ACS Applied Electronic Materials 4.7
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在本文的原始版本中，图8在排版过程中被过度缩小，导致图中的部分文本显示不正常。为了进行修正，这里提供了放大后的版本。这一更改不会影响研究的整体结论，并已得到作者的批准。图8图8。在200 kV电压下，使用高分辨率透射电子显微镜（HRTEM）拍摄的InP/Si键合界面图像，放大倍数
在本文的原始版本中，图8在排版过程中被过度缩小，导致图中的部分文本显示不正常。为了进行修正，这里提供了放大后的版本。这一更改不会影响研究的整体结论，并已得到作者的批准。
图8。在200 kV电压下，使用高分辨率透射电子显微镜（HRTEM）拍摄的InP/Si键合界面图像，放大倍数为500倍。(a) 样品#2，选取的部分区域经过FFT分析。InP部分（上半部分）的晶格发生了膨胀，而Si晶格基本保持不变。(b) 样品#5，选取的InP部分区域经过FFT和IFFT分析。在这种情况下，InP和Si的晶格与其各自的标准值非常吻合。
本文尚未被其他出版物引用。
