利用晶体各向异性调控的激光改性技术，实现4H-SiC晶块的高效且低损耗剥离

《Materials & Design》：Crystal anisotropy-modulated laser modification for high-efficiency and low-loss exfoliation of 4H-SiC ingots

　　

李红梅|王宏伟|岑文阳|卢秀文|李宇欣|李琳|严胤洲|潘克文|郭伟

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  晶体的各向异性调控了激光诱导裂纹扩展的规律。
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  揭示了裂纹频率、表面粗糙度与作用力之间的物理关联。
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  采用正交扫描策略（180°+270°）可以分离作用力与表面粗糙度的影响。
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  通过协同调控实现了低表面粗糙度和低作用力的目标。
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  成功实现了对6至8英寸碳化硅（SiC）晶锭的高效低损耗剥离。