《利用化学气相沉积技术生长二维β′-In2Se3体系的百科全书：合成参数对材料质量的影响》

《Advanced Engineering Materials》：Encyclopedia of 2D β′-In2Se3 Growth Using Chemical Vapor Deposition: The Effects of Synthesis Parameters Onto Material Quality

　　

摘要

二维（2D）In₂Se₃是一种多态性层状半导体，具有可切换的铁电和电子特性，但制备相纯、厚度均匀的薄膜仍然具有挑战性，因为生长条件常常会导致多晶型共存和不受控制的多层结构形成。在这里，我们开发了一种基于InI + Se化学气相沉积的方法，通过改进反应器几何结构（包括内层石英衬里）来稳定气体传输并提高重复性。通过系统地研究生长温度、InI负载量、Se升华温度、载气流量以及停留时间，我们 establishing 了从孤立的单层结构到毫米级致密单层薄膜的明确工艺-形貌关系；在最佳生长窗口之外，还会出现第二层岛状结构、多层堆叠以及类块状生长现象，这些现象通过光学显微镜和原子力显微镜得到了验证。从多个基底区域获取的拉曼光谱显示，所有参数条件下都保留了典型的β′-In₂Se₃特征谱线，且未发现其他In₂Se₃多晶型的特征。在广泛分离的区域进行的电子衍射实验证实了单晶β′基底的长期晶体学一致性，并解析出了纳米条纹超结构的对称相关取向。综上所述，改进的反应器设计和参数控制为制备相纯、厚度均匀的2D β′-In₂Se₃薄膜提供了实用的基础，为大规模合成和器件应用研究奠定了基础。

科学写作中生成式AI的使用声明

作者承认在本文写作过程中使用了AI辅助工具来提升写作质量。

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