基于垂直堆叠结构的GaN/Bi2O2Te/Bi2Te3 p-n异质结的超快灵敏宽带成像光探测技术

《Chemical Engineering Journal》：Ultrafast sensitive broadband imaging photodetection based on vertically stacked structured GaN/Bi2O2Te/Bi2Te3 p-n heterojunctions

　　

赵晨晨|刘曦航|潘敬文|赵迪|王东波|姚凯胜|陆伟伟|刘东豪|刘刚|方丹|方璇|江东伟|赵连成|庞新昌|王金忠

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  在254纳米波长下，偏压为-0.1伏时，设备的探测灵敏度达到9.099×10^10 Jones单位。
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  该设备在紫外（UV）和近红外（NIR）波段均表现出超快响应特性。
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  通过施加弱电场，可以调节p-GaN/Bi?O?/Te/Bi?Te?器件的光响应性能。
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  该设备具备在紫外-可见光-红外（UV–Vis-IR）宽带范围内的高分辨率成像能力。