基于FDSOI技术的低温电路性能提升：通过反向偏置和阈值电压工程实现

《IEEE Journal of the Electron Devices Society》：FDSOI Based Cryogenic Circuit Performance Enhancement Using Back Biasing and Threshold Voltage Engineering

　　

摘要：

在本研究中，我们使用了基于预测性低温特性的紧凑模型，这些模型是通过一种工艺设计工具包重新定位方法为22纳米FDSOI技术开发的，用于分析背栅偏置对电路性能的影响。我们重点分析了在室温和低温（4K）下改变供电电压时功率与延迟之间的权衡关系。研究表明，背偏置对于缓解低温下观察到的较高阈值电压的影响是必要的。此外，我们还发现，与室温相比，简单的“阈值电压工程”技术有潜力带来更好的性能。