利用石墨烯辅助的近距离蒸汽传输技术，在Si(111)基底上生长GaSb纳米结构

《Materials Science and Engineering: B》：Graphene-assisted growth of GaSb nanostructures on Si(111) by close-spaced vapor transport

　　

N. Colin-Becerril|J.J. Cruz-Bueno|M. Ramírez-López|S.J. Gutierrez-Ojeda|C.E. ávila-Crisóstomo|J.A. Guillén-Cervantes|A.L. Martínez-López|J.G. Mendoza-álvarez|G. Hernández-Cocoletzi|J.L. Herrera-Pérez|Y.L. Casallas-Moreno

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  利用CSVT方法在石墨烯/Si(111)表面制备了GaSb纳米结构。
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  石墨烯通过范德华相互作用促进GaSb的结晶生长。
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  GaSb纳米结构沿(111)和(200)平面表现出特定的取向。
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  SFE分析表明，末端为Sb的GaSb界面在30°旋转状态下最为稳定。