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通过分类特征分析和能量-裂纹形态映射技术,调控4H-SiC晶圆激光切割过程中的随机裂纹扩展
《Optics & Laser Technology》:Regulating random crack propagation in laser slicing of 4H-SiC wafer via classification characterization and energy-crack morphology mapping
【字体: 大 中 小 】 时间:2026年05月15日 来源:Optics & Laser Technology 4.6
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Zelong Qing|Haiying Wei|Xiaoben Chen|Yi Zhang•提出了裂纹扩展能量(Ecp)来调控裂纹形态。•随机裂纹形态被系统地划分为五个不同的类别。•建立了能量沉积与裂纹形态之间的映射关系。•通过应用已建立的能量-裂纹形态映射关系,实现了稳定的切割