通过O2/Ar等离子体氧化和甲酸螯合作用，利用等离子体辅助热原子层刻蚀技术制备钌

《Applied Surface Science》：Plasma-assisted thermal atomic layer etching of ruthenium via O2/Ar plasma oxidation and formic acid chelation

　　

Hojin Kang | Heeju Ha | Hyeongwu Lee | Daeun Hong | Hwan Park | Jaeho Kim | Sungmin Choi | Minsung Jeon | Heeyeop Chae

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  采用O₂/Ar等离子体氧化和甲酸（HCOOH）螯合作用，开发了一种钌（Ru）的原子层刻蚀（ALE）技术。
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  该工艺表现出自限制特性，在150至200°C的温度范围内，每个周期的蚀刻深度（EPC）为3.5 ?/周期。
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  在三维沟槽结构（AR约为2.5 ?）上成功实现了保形且各向同性的刻蚀，每个周期的蚀刻深度均匀约为2 ?。
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  在保持六角形多晶Ru结构的同时，实现了对电介质材料的高选择性以及极低的表面残留物。