在室温下，采用射频溅射技术制备了含有离子导体和电子导体成分的Nd2Ni0.8Cu0.2O4+δ薄膜

《Materials Science and Engineering: B》：Room temperature RF sputtering of mixed ionic and electronic conductor Nd2Ni0.8Cu0.2O4+δ films

　　

N. 科波拉 | M. 帕奥内 | H.S. 乌尔·雷赫曼 | S. 斯卡尼奇 | G. 卡拉佩拉 | A. 瓜里诺 | M. 特卡尔切维奇 | L. 卡尔卡尼莱 | G. 库阿尔塔 | A. 加尔迪 | L. 马里塔托

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  通过射频溅射技术制备的化学计量比Nd?Ni?.?Cu?.?O?薄膜。
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  高射频功率密度可实现高效的单靶沉积。
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  优化的放电功率可防止薄膜中铜元素的缺失。
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  通过外部退火处理使薄膜达到稳定的Ruddlesden–Popper相结构。
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  薄膜的电阻率与块体材料相当。