通过双层SiN钝化技术提升薄势垒AlGaN/GaN HEMT的电气性能

《IEEE Transactions on Electron Devices》：Improved Electrical Performance of Thin-Barrier AlGaN/GaN HEMTs by Dual-Layer SiN Passivation

　　

本文系统研究了用于薄势垒AlGaN/GaN基高电子迁移率晶体管（AlGaN/GaN HEMTs）的双层钝化技术（富硅/N富硅SiN）。研究结果表明，采用富硅/N富硅SiN双层钝化的GaN HEMTs引入了压缩应力，显著降低了栅极区域的峰值电场。电场的降低提高了器件的击穿电压，并使输出功率密度和峰值功率附加效率（PAE）得到提升。在28GHz频率下进行的负载-牵引测量显示，该器件实现了6.5W/mm的输出功率密度和54.3%的峰值功率附加效率。这些结果表明，压缩应力双层钝化技术在提升薄势垒毫米波（mm-W）GaN HEMTs的性能方面具有显著优势。