采用微铸造技术，在晶圆级制造的无线无源LC压力传感器，集成了片上电感器

《IEEE Transactions on Electron Devices》：Wafer-Level Fabricated Wireless Passive LC Pressure Sensors With On-Chip Integrated Inductors via Micro-Casting Technique

　　摘要：金属氧化物薄膜晶体管（TFT）由于其独特的能带结构而具有较低的漏电流，这使得它们成为制造双晶体管零电容（2T0C）动态随机存取存储器（DRAM）的理想材料。与InGaZnO（IGZO）相比，InSnZnO（ITZO）具有更高的电子迁移率，从而实现了更快的读取速度，并且所需的加工温度更低，确保了与后端制造工艺（BEOL）的兼容性。我们采用阈值电压（Vth）调制技术制备了基于ITZO的2T0C DRAM单元，该单元的写入晶体管和读取晶体管具有不同的Vth值。写入晶体管（T_write）的关断电流（Ioff）约为1×10^-16 A/μm，而读取晶体管（T_read）的场效应迁移率（μfet）约为30 cm2/V·s，读取电流（Iread）为0.4 μA/μm。我们从氧空位（V_O）浓度、内部键合结构以及能带结构的角度全面阐述了ITZO薄膜性能演变机制。通过Vth调制，基于ITZO的2T0C单元的数据保持时间达到了200秒，并且能够稳定存储2位数据超过50秒。此外，我们还实现了一个适用于资源极其有限的边缘图像处理的神经网络模型，其准确率达到了93.15%。这些结果展示了基于ITZO的2T0C DRAM在未来的内存计算应用中的巨大潜力。