利用脉冲激光沉积技术实现一步原位制备，以提高Sb2Se3光电阴极的稳定性

《Materials & Design》：One-step in-situ fabrication by pulsed laser deposition for enhancing stability of Sb2Se3 photocathode

　　

洪恩京（Eunkyo Hong）|金叶俊（Yejoon Kim）|郑允成（Yoonsung Jung）|玉妍智（Yeonji Yuk）|李恩诺克（Enok Lee）|黄俊范（Jun Beom Hwang）|吴仁赫（Inhyeok Oh）|高贤宇（Hyeonwoo Ko）|安智敏（Jimin Ahn）|李尚汉（Sanghan Lee）

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  原位制备的PLD工艺可生成不含氧化物的MoS₂/Sb₂Se₃异质结构。
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  原位生长过程完全避免了Sb₂O₃界面层的缺陷。
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  II型能带对齐有效地抑制了表面电荷复合现象。
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  23纳米厚的MoS₂层可作为理想的双功能电催化剂。
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  该光阴极在强酸环境中表现出极高的氢气生成稳定性。