在先进技术节点上，对硼烯芯片互连的紧凑型RLC建模与性能基准测试

《IEEE Access》：Compact RLC Modelling and Performance Benchmarking of Borophene On-Chip Interconnects at Advanced Technology nodes

　　

摘要：

在平面铜互连结构中，表面粗糙度对导体损耗起着关键作用，尤其是在纳米尺度下。这种效应在高性能多核系统中尤为显著，因为互连性能往往是主要的瓶颈。为了解决这些问题，本文引入了多层硼烯纳米带（MLBNR）互连，并为扶手椅型和之字形结构的电阻、电容和电感开发了分析等效电路模型。我们计算了不同技术节点下硼烯互连的有效平均自由路径、散射电阻、动态电感和量子电容，并将其与石墨烯进行了比较。同时，还计算了MLBNR互连的顶接触和侧接触电阻以及电感和电容，并与石墨烯和铜进行了对比。此外，还使用行业标准的场电磁（EM）求解器进行了仿真，以验证所提出分析模型的准确性。本文还计算了延迟、能量和能量延迟乘积等关键性能指标。研究结果表明，硼烯纳米带互连的参数与石墨烯相当，并且显著优于铜，这凸显了硼烯作为未来纳米尺度互连材料的前景。