摘要
高性能的近红外(NIR)有机光电探测器仍然受到900纳米以上吸收不足的限制,这导致了暗电流和噪声的增加。在这里,我们介绍了基于新型低带隙非富勒烯受体(NFAs)的有机光电探测器,即OC和SC,这些受体是通过引入二噻吩[3,2-b:2′,3′-d]吡喃(DTP)和二噻吩[3,2-b:2′,3′-d]噻吡喃(DTTP)作为核心分子的策略设计的。所得到的PTB7-Th:OC有机光电二极管(OPDs)在-2伏的反向偏压下表现出极低的暗电流密度(约10?8 A cm?2),并在短NIR区域保持高光谱响应度,在900纳米附近达到0.4 A W?1,并在1000纳米处仍然保持显著的光谱响应度,从而实现了2.34 × 1012 Jones的优异的散粒噪声限制下的特定检测率。此外,基于PTB7-Th:OC的OPDs在实际应用中的可行性得到了验证,例如在NIR光容积描记传感器中,该传感器能够提供稳定且清晰分辨的信号。总体而言,这项工作突显了基于DTP/DTTP的NFAs作为高性能NIR响应光电探测器的有前途的材料,并为未来的NIR光检测应用提供了有用的设计指导。
利益冲突
作者声明没有利益冲突。
数据可用性声明
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