综述：开发III族氮化物微LED技术用于微型显示器、可见光通信和人工智能的前景

《Progress in Quantum Electronics》：Prospect of developing III-nitride microLED technologies for micro-displays, visible light communications and artificial intelligence

　　

T. Wang

摘要

基于III族氮化物的微发光二极管（microLEDs或μLEDs）已迅速成为下一代光子技术的领先平台，应用于微显示器、可见光通信和以数据为中心的计算领域。通过将自发发光器件缩小到微米级别，microLEDs实现了高亮度、快速调制和密集集成，将光学限制、载流子复合以及光与物质相互作用的基本原理转化为实际的可电注入发光体。本文全面概述了当前III族氮化物microLED技术的发展现状，同时探讨了支配其工作原理和扩展行为的基本物理机制。文章还总结了材料、器件架构和制造方面的最新进展，并评估了这些技术在超高分辨率微显示器、高速可见光通信以及人工智能系统中的光学互连中的应用前景。文章讨论了进一步发展microLED技术所面临的关键挑战，以及基于材料工程、器件创新和系统协同设计的策略，以实现可扩展、高性能的microLED技术。