厚度调控机制使得Sb2Se3薄膜中的应变介导相分离现象得以实现，并且其漂移效应接近于零

《Scripta Materialia》：Thickness scaling unlocks strain-mediated phase separation and near-zero drift in Sb2Se3 films

　　

孙涛路|王国祥|陈一民|沈翔|关晓宁|卢鹏飞

摘要

相变材料中的电阻漂移会严重降低存储设备的循环耐久性。我们采用了一种简便的减厚策略来有效抑制Sb₂Se₃薄膜的电阻漂移。将其厚度减至10纳米后，电阻漂移系数降至0.001，表现出极低的稳定性。这种卓越的稳定性源于厚度驱动的微观结构转变：从单相纳米颗粒转变为含有纳米空洞的双相纳米片，最终形成富Sb的纳米岛。在关键的10纳米厚度下，厚度驱动的结构演变形成了高度稳定的非晶态网络，从而抑制了结构松弛，这也是电阻漂移几乎为零的原因。这些发现表明，通过调控缺陷的微观结构工程有望实现高耐久性的相变存储器。