摘要
三维（3D）光子晶体对光学特性提供了前所未有的控制能力，但其实际应用受到一个根本性权衡的阻碍：自上而下的制造方法具有较高的设计灵活性，但可扩展性有限；而自下而上的可扩展方法则缺乏设计自由度。近场纳米图案化技术（一种基于相位掩模辅助的干涉光刻技术）为定制3D光子晶体提供了一条可扩展的途径。在这里，我们介绍了光谱编码近场纳米图案化（SEPN）技术，该技术通过利用曝光波长作为动态可调参数，实现了对纳米结构三维纵横比的有效控制。通过调节曝光波长，我们能够独立控制光子晶体的垂直于平面的周期，同时保持其平行于平面的周期性不变。这种技术可以精确且独立地设计近红外（NIR）反射带，从而将其与由固定平行于平面周期决定的可见光彩虹效应角度分离。我们通过依次打印不同的纳米图案来展示SEPN的多功能性，最终得到了一个多图案设备。该设备在近红外区域显示出一个隐藏的多光谱图像，同时在视觉上并不显眼，这表明SEPN技术在高级安全和防伪应用中具有潜在价值。
利益冲突
作者声明没有利益冲突。
数据可用性声明
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