通过超声辅助液相剥离技术制备的可扩展全固态顶栅逻辑门，所用材料为二硫化钼（MoS2）纳米片

《Chemical Engineering Journal》：Scalable all-solid-state top-gate logic gates from sonication-assisted liquid-phase-exfoliated MoS2 nanosheets

　　

Fuad Indra Alzakia | Mohan Kumar Ghimire | You Jin Kim | Pradip Dalapati | Geok Ing Ng | Munho Kim

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  首次利用超声辅助液相剥离（SA-LPE）技术从MoS?纳米片制备出全固态顶栅场效应晶体管（FET）及逻辑门（反相器、NAND、NOR），并使用了HfO?作为介电材料。
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  通过Langmuir-Schaefer（LS）沉积法制备出厚度约13纳米、密度均匀的MoS?薄膜，克服了传统多孔薄膜的局限性。
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  这些FET的开关比可达6，栅极偏压扫描时的迟滞效应小于3%，且在常温条件下可稳定使用超过1个月。
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  该技术为物联网传感器、一次性电子产品和环境监测提供了可扩展且低成本的解决方案。