基于电路理论的PT对称分析:继电器-线圈耦合谐振网络及其等效的级联双线圈模型
《IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers》:Circuit-Theoretic PT-Symmetric Analysis of Relay-Coil-Coupled Resonant Networks With an Equivalent Cascaded Two-Coil Model
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时间:2026年06月10日
来源:IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers 5.2
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摘要:本文提出了一种低功耗电压参考源,该参考源能够在0°C至170°C的温度范围内输出736 mV的电压,适用于低功耗、高温度的微型传感系统。该参考源基于双极结型晶体管(BJT)二极管工作在亚阈值区域,产生与工艺无关的绝对温度补码(CTAT)电压;而堆叠的互补金属氧化物半导体(C
摘要:本文提出了一种低功耗电压参考源,该参考源能够在0°C至170°C的温度范围内输出736 mV的电压,适用于低功耗、高温度的微型传感系统。该参考源基于双极结型晶体管(BJT)二极管工作在亚阈值区域,产生与工艺无关的绝对温度补码(CTAT)电压;而堆叠的互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管则通过提供与绝对温度成比例的电压(PTAT)来实现温度补偿。通过对采用180纳米CMOS工艺制造的76个样品进行测试,发现该参考源在0°C至170°C范围内的精度误差为±3σ(3.64%),且无需进行芯片级 trimming。在27°C时,该参考源的功耗为31 pW;在170°C时,功耗为113 nW,电源电压为0.9 V。与现有的能够覆盖170°C温度范围的电压参考源相比,该新型参考源的功耗降低了4.36倍,最低工作电压降低了50%(降至0.9 V),并且在没有进行芯片级 trimming 的情况下,其平均温度系数(TC)降低了2.37倍(27 ppm/°C)。
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