非晶钙锆酸盐忆阻器中的双极电阻切换现象

《Scientific Reports》：Bipolar resistive switching in amorphous calcium zirconate memristors

　　

摘要

我们报道了一种基于非晶态钙锆酸盐（a-CaZrO₃）薄膜的简单双端忆阻器的双极电阻切换特性。该器件采用Au/a-CaZrO₃/FTO结构，在低工作电压（±1 V）下表现出可靠且可重复的切换性能。忆阻器具有稳定的性能指标：在超过\(1.2 \times 10^5\)次循环后仍能保持可靠的工作稳定性，数据保持时间超过\(5.5 \times 10^3\)秒，并且具有优异的循环间及器件间一致性。电流-电压特性的分析表明，其切换机制受氧空位形成的导电细丝的生成与断裂控制，这一模型得到了X射线光电子能谱的强有力支持。这些发现表明，非晶态CaZrO₃是一种适用于基于忆阻器的布尔逻辑电路和数据加密技术的有前景的材料。