创新的掺杂策略用于控制富含锗的GeSbTe合金中的分离现象和结晶动力学

《physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters》：Innovative Doping Strategy to Control Segregation and Crystallization Kinetics in Ge-Rich GeSbTe Alloys

　　

摘要

基于富含锗的GeSbTe（GGST）合金的相变存储器（PCM）已被证明是一种可靠的非易失性存储技术，能够满足汽车应用的严格要求。通过对GGST合金进行创新的掺杂处理，可以为未来的亚18纳米技术节点和器件极限缩放铺平道路。本研究探讨了在标准GGST合金中逐渐用掺杂元素（D）替代锗的影响，这些合金的Sb与Te的比例低于1，并研究了非晶相的性质和结晶行为。电学、结构和振动分析表明，尽管锗含量降低，掺杂D仍能提高电阻率并增强非晶相的热稳定性。掺杂D还改变了结晶过程中分离的GeSbTe（GST）相的化学计量比。实际上，较高的D含量促进了富含Sb相的形成（即Sb与Te的比例较高），并改变了结晶动力学。这种变化抑制了亚稳态立方相的形成，促进了非晶相直接转变为稳定的六方相。这些发现表明，基于锗替代的掺杂方法为调节非晶稳定性和相变提供了有效途径，为优化GGST材料以适应先进的PCM应用提供了可靠的策略。

利益冲突

作者声明没有利益冲突。

数据可用性声明

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