优化经颅直流电刺激在精神分裂症中的认知效果：多巴胺能功能状态与抗精神病药物剂量的作用

《Translational Psychiatry》：Optimizing tDCS cognitive outcomes in schizophrenia: the role of dopaminergic tone and antipsychotic load

　　

摘要

工作记忆缺陷是精神分裂症的核心认知障碍，也是重要的治疗靶点。经颅直流电刺激被认为是一种潜在的认知增强手段，但由于个体间差异较大，其临床应用受到限制。多巴胺信号通路的药物调控，尤其是通过抗精神病药物，可能会影响神经可塑性，进而改变对经颅直流电刺激的反应。本研究旨在探讨抗精神病药物的剂量或药效学特征是否会影响精神分裂症患者通过经颅直流电刺激所获得的工作记忆改善效果。在一项随机、双盲、安慰剂对照试验中，120名临床状态稳定的门诊患者接受了持续10个工作日的真实或假经额叶经颅直流电刺激。工作记忆表现通过MATRICS共识认知测试量表进行评估。抗精神病药物被分为全D2拮抗剂和部分D2激动剂两类，所有剂量均换算为奥氮平当量。研究结果显示，抗精神病药物剂量与经颅直流电刺激带来的工作记忆提升之间存在显著的负相关关系（r=–0.197，p=0.031），表明较高剂量会降低认知改善效果。而接受全D2拮抗剂与部分D2激动剂治疗的患者在工作记忆改善方面并无显著差异。这些发现表明，是整体多巴胺能阻断作用，而非特定的受体结合特性，决定了对经颅直流电刺激的认知反应程度。较高的抗精神病药物剂量可能会降低神经可塑性，从而限制神经调节疗法的治疗潜力。这些结果强调了在设计和解读认知增强试验时需考虑抗精神病药物的负荷，并支持在精准精神病学研究中将药物负担作为分层变量加以运用。