基于欠阻尼二阶随机共振能量传递的高频SSVEP噪声驱动特征增强

《IEEE Transactions on Neural Systems and Rehabilitation Engineering》:Noise-Driven Feature Enhancement of High-Frequency SSVEP through Underdamped Second-order Stochastic Resonance Energy Transfer

【字体: 大 中 小 】 时间:2026年06月22日 来源:IEEE Transactions on Neural Systems and Rehabilitation Engineering 5.2

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  摘要:利用高频稳态视觉诱发电位(SSVEP)的脑机接口系统能够提升用户使用舒适度,但其信号存在较大的幅度衰减问题,这给精确检测带来了挑战。为解决这一问题,我们提出了一种新的弱特征增强框架FBUSSR-CCA,该框架将单稳态(单井)欠阻尼二阶随机共振模型集成到滤波器组处理流程中。该

  

摘要:

利用高频稳态视觉诱发电位(SSVEP)的脑机接口系统能够提升用户使用舒适度,但其信号存在较大的幅度衰减问题,这给精确检测带来了挑战。为解决这一问题,我们提出了一种新的弱特征增强框架FBUSSR-CCA,该框架将单稳态(单井)欠阻尼二阶随机共振模型集成到滤波器组处理流程中。该模型能够巧妙地将噪声能量转化为非线性信号,从而放大微弱的高频目标成分。我们在两个公开的高频SSVEP数据集上进行了验证,这些数据集的刺激频率分别为40-43Hz和40-41.5Hz。所提出的FBUSSR-CCA与六种基准方法进行了比较,其中包括性能最佳的FBCCA。实验结果表明,在三种测试条件下,该框架均展现出更优异的性能:平均准确率和ITR分别达到了83.61 ± 13.16% / 17.92 ± 7.81比特/分钟、98.89 ± 2.17% / 28.77 ± 2.30比特/分钟以及70.27 ± 19.02% / 11.88 ± 8.62比特/分钟。进一步分析表明,该USSR模块是一种通用工具,能够提升所有六种方法的性能,且对各种扰动具有参数上的稳定性。这些研究结果说明,单稳态USSR框架是增强高频SSVEP信号的可靠方案,有助于打造更加舒适高效的脑机接口系统。
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