利用表面沟槽技术实现的SOI-LDMOSFET领域的杰出性能表现

《Scientific Reports》：Outstanding figure-of-merit in SOI-LDMOSFET by a surface groove technique

　　

摘要

本文提出了一种新技术，用于提升绝缘体上硅横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（SOI-LDMOSFET）的电学性能。在漂移区的局部区域，电场强度的增加会提高器件击穿的风险。所提出的技术通过在漂移区设置表面沟槽，使电场线均匀分布，从而降低电场强度峰值。优值分析显示，采用表面沟槽结构的SOI-LDMOSFET（SG-SOI-LDMOSFET）的性能提升了70%，其电场强度可达4.8 MW/cm²。这些改进效果是通过二维器件仿真验证的。该技术能够在不增加制造工艺复杂度的情况下显著提升器件性能。