一种基于超快间接功率检测的GaN HEMT短路保护方法

《IEEE Open Journal of Power Electronics》：An Ultrafast Indirect Power Detection Based Short-Circuit Protection Method for GaN HEMTs

　　

摘要：

本文提出了一种基于间接功率检测的氮化镓高电子迁移率晶体管短路保护方法。与常用的饱和保护方法类似，该方法仅需检测GaN HEMT的vvds值，无需使用二极管，从而实现更快的短路检测和更好的抗干扰能力。实验结果表明，该方法的短路检测时间显著短于饱和保护方法。此外，还在从室温到低温的广泛温度范围内对该方法进行了测试，验证了其在低温环境下的应用效果。

I. 引言

氮化镓高电子迁移率晶体管具有比硅基器件更快的开关速度和更低的导通状态电阻，因此被越来越多地应用于工业领域。然而，与硅基器件相比，GaN HEMT的短路承受能力要低得多[1]，这给快速响应的短路保护电路设计带来了巨大挑战。