一种基于三线圈变压器的GM增强与极点调谐技术的紧凑型24.0–45.3 GHz低噪声放大器
《IEEE Microwave and Wireless Technology Letters》:A Compact 24.0–45.3 GHz LNA Using Three-Coil Transformer-Based Gm-Boosting and Pole-Tuning Techniques
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时间:2026年07月08日
来源:IEEE Microwave and Wireless Technology Letters 3.4
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摘要:本文介绍了一种专为5G毫米波应用设计的、带宽为24.0–45.3 GHz的紧凑型低噪声放大器。该放大器的共栅级采用了基于三线圈变压器结构的增益提升技术,从而在保持功率消耗不变的情况下实现增益提升,并且结构较为紧凑。此外,还在共栅放大器后级串联了共源级,进一步提升了功率增益。
摘要:
本文介绍了一种专为5G毫米波应用设计的、带宽为24.0–45.3 GHz的紧凑型低噪声放大器。该放大器的共栅级采用了基于三线圈变压器结构的增益提升技术,从而在保持功率消耗不变的情况下实现增益提升,并且结构较为紧凑。此外,还在共栅放大器后级串联了共源级,进一步提升了功率增益。同时,通过极点调节技术调整共栅级、共源级以及输出网络的极点,从而扩展了整体带宽。所设计的放大器采用65纳米CMOS工艺制造,在目标频段内能够实现15.1 dB的峰值增益,噪声系数则保持在3.5–4.6 dB之间。另外,其在28 GHz时的三阶输入截距点为-4.0 dBm。该放大器的功耗仅为8.2 mW,芯片面积为0.066平方毫米。因此,它具有较高的增益效率以及良好的性能指标。
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