基于180纳米CMOS技术的低相位噪声5G毫米波子采样PLL

《Microelectronics Journal》:A 5G millimeter-wave sub-sampling PLL with low phase noise in 180 nm CMOS technology

【字体: 大 中 小 】 时间:2026年07月08日 来源:Microelectronics Journal 2.2

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  陈一帆|胡三明|沈一竹|董国庆中国南京210096,东南大学信息科学与工程学院,毫米波国家重点实验室摘要本文提出了一种基于180纳米CMOS技术的5G毫米波子采样锁相环(SSPLL),该锁相环具有较低的相位噪声。为解决子采样相位检测器(SSPD)的增益衰减及杂散信号问题,我们提出

  
陈一帆|胡三明|沈一竹|董国庆
中国南京210096,东南大学信息科学与工程学院,毫米波国家重点实验室

摘要

本文提出了一种基于180纳米CMOS技术的5G毫米波子采样锁相环(SSPLL),该锁相环具有较低的相位噪声。为解决子采样相位检测器(SSPD)的增益衰减及杂散信号问题,我们提出了一种系统化的预分频器分频比选择方法。通过建立s域噪声传递模型,评估子采样电荷泵(SSCP)和参考信号对相位噪声的贡献,从而数学上确定最佳分频比。这种方法有效将SSPD与电压控制振荡器(VCO)分离,降低了二进制相移键控(BPSK)效应,同时保持了理论上最优的带内相位噪声。此外,通过使用差分SSCP和低增益VCO,可最小化电路不匹配引起的杂散信号。该SSPLL采用180纳米CMOS工艺制造,功耗为86.4毫瓦,有效面积为0.8平方毫米。测试结果显示,其调谐范围为25.25–27.3吉赫,1兆赫偏移时的相位噪声为-95.69分贝/赫兹,26吉赫时的参考杂散信号为-48.44分贝/赫兹。

引言

随着通信技术对更高数据传输速率、更低延迟以及更大数据量的需求不断增长,凭借其宽频带优势,5G毫米波技术受到了越来越多的关注[1]。作为5G毫米波收发器的关键组件,频率合成器面临着实现低相位噪声和低杂散信号发射的严峻挑战,这样才能支持高阶正交幅度调制[2]。
基于传统锁相环(PLL)结构,人们提出了多种新型架构。其中,子采样锁相环(SSPLL)因其出色的带内相位噪声性能而广受欢迎。然而,用低频参考信号直接采样高频信号会引入二进制相移键控(BPSK)效应,导致电压控制振荡器(VCO)输出端出现明显的参考杂散信号[3]。此外,当采样信号频率超过相当于子采样相位检测器(SSPD)的RC低通滤波器的截止频率时,采样信号幅度会迅速衰减。这意味着过高的采样频率会极大降低SSPD的增益,进而严重影响子采样电荷泵(SSCP)的噪声抑制能力[4]。而且,要获得足够宽的频率调谐范围,通常需要较高的VCO增益,这也会使VCO更容易受到系统不匹配的影响,进而加剧参考杂散信号的问题[5]。
为解决这些问题,近期有一些研究提出了相应的解决方案。有些方案在VCO和SSPD之间加入高频隔离缓冲器,以抑制BPSK效应,但这种方法会导致功耗增加,且无法解决SSPD的带宽限制问题。还有些设计在SSPD之前加入预分频器来降低采样频率,但现有大多数实现方式都是凭经验选择预分频器的分频比,缺乏系统的权衡分析。过大的分频比会增大SSCP噪声对输出的影响,从而降低整体带内相位噪声;而过小的分频比则无法有效解决SSPD的增益衰减和隔离问题。
为克服这些限制并填补SSPLL设计方面的空白,本文提出了一种5G毫米波SSPLL,能够同时实现低相位噪声和低参考杂散信号的性能。在系统架构层面,本文提出了一种系统化的预分频器分频比计算与选择方法,通过这种数学方法可以确定最佳分频比,有效将SSPD与VCO分离,避免BPSK效应的产生,同时仍能保持理论上最优的带内相位噪声。在电路实现层面,利用SSPLL的结构特点,采用了辅助式SSPD、差分电压控制SSCP以及带有开关电容阵列的VCO,以此降低由电路不匹配引起的参考杂散信号。
本文的结构如下:第2节介绍所提出的SSPLL的整体架构及系统分析;第3节详细阐述各关键模块的设计;第4节展示测试结果,第5节给出结论。

章节要点

系统架构与分析

图1展示了所提出的SSPLL的整体架构,它由核心锁相环和一个带有死区的锁频环(FLL)组成。这两个环共享环路滤波器、电压控制振荡器以及预分频器。
图2展示了所提出SSPLL的s域模型。从带内主要噪声源——SSCP噪声和参考信号噪声到输出的传递函数为,其中KSSPD为SSPD的增益,gm为增益值

子采样相位检测器

图7展示了SSPD的原理图。该设计在原有的采样结构基础上,还加入了由互补时钟控制的虚拟采样结构,这样可以保证电容负载恒定,避免采样过程影响预分频器的功能。此外,还在采样电容上使用了虚拟开关,以抑制电荷注入,从而减少参考杂散信号。

子采样电荷泵

为减少由电流引起的参考杂散信号

测试结果

图12展示了采用180纳米CMOS工艺制造的所提出的5G毫米波SSPLL的芯片微图及功耗分布表。如图所示,该芯片的有效面积为0.8平方毫米,包括焊盘和虚拟元件在内的总面积为1.08平方毫米。为了进行准确测量,人们在芯片上直接检测了fout的相位噪声和频谱,随后再用频谱分析仪进行测量。测试结果表明,该芯片的直流功耗为117毫瓦。

结论

在这项工作中,我们提出了一种5G毫米波SSPLL,它能够同时实现优异的相位噪声性能和低参考杂散信号水平。为解决毫米波应用中SSPD增益衰减严重以及参考杂散信号质量下降的问题,我们提出了一种系统化的预分频器分频比计算与选择方法。这一方法可为后续的相关研究提供有价值的参考。

利益冲突声明

? 作者声明,他们不存在任何可能影响本文研究成果的已知利益冲突或个人关系。

致谢

本研究部分得到了彭程实验室(PCL)在重大科研项目中的支持,部分得到了中央高校基础研究基金项目编号4004002508的支持,另外还得到了东南大学大数据计算中心在数值计算方面的协助。
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