《Materials Research Bulletin》:Accessing textured superconducting Ga polymorphs through press-based nanoinfiltration
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通过压力基纳米渗透在AAO模板中制备了液态Ga纳米线。亚稳Ga相通过纳米限域得以稳定。β-Ga占主导,而γ-和δ-Ga取决于冷却历史。β和δ相表现出由纳米通道诱导的强织构。观察到高达7.5 K的两步超导转变。
通过压力基纳米渗透在AAO模板中制备了液态Ga纳米线。亚稳Ga相通过纳米限域得以稳定。β-Ga占主导,而γ-和δ-Ga取决于冷却历史。β和δ相表现出由纳米通道诱导的强织构。观察到高达7.5 K的两步超导转变。
镓(Ga)具有复杂的相图,其中最稳定的α-Ga在常压下熔点为302.9 K,超导转变温度(T
C)仅约1.0833 K,因其具有共价键特征导致费米面附近态密度较低。相比之下,亚稳相如β-Ga(单斜结构,熔点约256.8 K,T
C约6.2 K)无共价键,具有更高的态密度和增强的超导性能。然而,传统制备亚稳Ga纳米线的方法(如金属熔体纳米成核MFNN)需高温且耗时(约一周)。本文采用压力基纳米渗透(PBNI)法,在近室温条件下(35°C、0.6吨负载)将液态Ga注入阳极氧化铝(AAO)模板的纳米孔道(平均直径151 nm,长度80 μm)中,快速制备高密度Ga纳米线阵列,研究其相组成、织构和超导行为。该研究旨在探索PBNI方法在纳米限域下稳定Ga亚稳相的能力,以及纳米通道诱导的织构对超导性能的影响。论文发表在《Materials Research Bulletin》。
本研究采用的主要技术方法包括:(1)压力基纳米渗透(PBNI)法制备Ga纳米线,AAO模板通过阳极氧化制备(孔径151±36 nm,长度80 μm,孔隙率30%);(2)物理性质测量系统(PPMS)进行热容测量,通过检测各相的熔点峰(固-液转变)鉴定相种类;(3)X射线衍射(XRD,Cu Kα辐射)在30 K、220 K和290 K下表征晶体结构和织构;(4)振动样品磁强计(VSM)结合超导量子干涉仪(SQUID)进行磁化测量,在零场冷(ZFC)和场冷(FC)条件下(25 Oe)研究超导转变。样本来源为商业纯Ga(99.99%)和自行制备的AAO模板。
3.1 热分析:热容测量显示,纳米线从液态冷却至150 K后出现β-Ga(熔点256.6 K)和γ-Ga(237.4 K)的熔化峰。当冷却至100 K时,γ-Ga峰消失,出现δ-Ga峰(253.5 K),表明γ与δ相随冷却历史竞争。多次热循环后,α-Ga(熔点302.7 K)逐渐出现并增长,以牺牲β-Ga为主,α-Ga峰面积增加至第四循环后稳定。β-Ga始终是主导相。块体Ga对照样品中α-Ga占绝对主导,但同样观察到β、γ、δ亚稳相(峰强度远小于α-Ga)。冷却至100 K时,块体中δ-Ga出现而γ-Ga几乎消失,β-Ga峰面积增加26%。
3.2 晶体性质:XRD在30 K和220 K检测到β和δ相衍射峰,290 K时仅为液态弥散峰,无α-Ga。β-Ga的(020)峰异常增强(2θ≈22°),表明其b轴(最长晶轴)沿纳米线方向择优取向。δ-Ga(菱方结构)的(101)峰(2θ略高于12°)以及(202)和/或(113)峰(2θ≈25°)强度突出,说明(101)晶面族优先暴露于纳米线端部。30 K时出现三个额外衍射峰(绿色标注),可能为δ-Ga的低温修饰相(δ'),因该温度下δ相最可能变化。热历史更利于δ-Ga稳定,故额外峰归因于δ相在纳米限域下的热收缩效应。纳米通道显著诱导了织构。
3.3 超导行为:磁化测量显示两步超导转变:低温转变对应β-Ga(T
C = 6.17±0.05 K),与MFNN法制备的纳米线一致;高温转变位于7.50±0.06 K,具有良好可重复性。表面抛光处理增加β相比例(相对δ'),而24次热循环降低β相比例(伴随α相形成)。7.5 K转变并非已知的γ-Ga(7.62 K)、θ-Ga(7.23 K)或ι-Ga(7.1 K),结合XRD中δ相低温修饰峰的出现,研究人员将其归因于δ-Ga的结构修饰(δ')。此外,纳米线在室温下保持液态(无α-Ga),实现了液态-固态多功能性,无需合金化。
总结讨论:PBNI方法避免了高温和长时间处理,在近室温下快速制备出具有丰富亚稳相的Ga纳米线。纳米限域和冷却历史共同决定了亚稳相的类型和织构,β和δ相的超导性能可调。7.5 K的转变接近δ-Ga本征值(7.85 K),受低温结构修饰影响。这些发现表明PBNI是一种工程化Ga亚稳相和织构的有效方法。
研究结论:研究人员证明,PBNI可在近环境条件下高通量制备Ga纳米线,同时稳定多种亚稳晶相。β-Ga是纳米孔内的主要相,而γ-Ga或δ-Ga的形成取决于冷却历史。当液体直接冷却至100 K以下时,δ-Ga更易形成,与文献趋势一致。结构分析表明,β-和δ-Ga在纳米孔内均呈现显著织构,其中(020)
β、(101)
δ以及可能的(202)
δ衍射峰得到显著增强。7.5 K处的超导转变归因于δ-Ga的低温结构修饰。总之,这些发现表明纳米限域能够实现低于室温的液态Ga以及Ga的奇异固相及其可调的超导和结构性质,为基于亚稳Ga多晶型物的功能性低温与光子纳米器件开辟了道路。