一种新型等电容介质终端技术的机理与实验研究

《IEEE Transactions on Electron Devices》：Mechanism and Experiments of a Novel Equicapacitance Dielectric Termination Technology

　　

摘要：

本研究提出了一种新型等电容介质终端技术（E-DTT）的机制，并进行了实验验证。该技术在均匀场器件?终端区域加入了MIS沟槽，这些沟槽包括尺寸一致的离散沟槽以及在不同曲率半径下尺寸各异的连续沟槽，同时确保与表面金属环相连的离散沟槽数量相等。位于离散沟槽之间的连续沟槽处于悬浮状态，从而解决了由于终端区域MIS电容不一致而导致的电压分配问题，实现了E-DTT结构的等电容特性。首次应用这种新技术，使得HOF器件能够在高达9×1012厘米?2英寸的漂移区域击穿电压，显著提升了HOF器件的性能。实验结果表明，E-DTT器件的击穿电压达到了VB667.9伏，特定导通电阻为RON,sp38.4毫欧·平方厘米，相比之前报道的HOF器件降低了21.7%。