基于双泵浦Q增强技术的GaAs MMIC可调1.3-2.1GHz参量陷波滤波器
《IEEE Open Journal of Circuits and Systems》:Tunable 1.3-2.1GHz Parametric Notch Filtering on GaAs MMIC with Double Pump Q-Enhancement
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时间:2026年08月10日
来源:IEEE Open Journal of Circuits and Systems 1.8
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摘要:本文介绍了一种基于双泵参数混频架构的可调参数陷波滤波器,该架构能够实现芯片上的Q值提升。主泵在信号频率处产生与频率相关的正电导,从而形成可调节的吸收陷波;而副泵则在闲置频率处引入负电阻,以补偿谐振器损耗并提高选择性。这种被称为参数混频的机制,无需外部高Q值元件即可实现对闲置
摘要:
本文介绍了一种基于双泵参数混频架构的可调参数陷波滤波器,该架构能够实现芯片上的Q值提升。主泵在信号频率处产生与频率相关的正电导,从而形成可调节的吸收陷波;而副泵则在闲置频率处引入负电阻,以补偿谐振器损耗并提高选择性。这种被称为参数混频的机制,无需外部高Q值元件即可实现对闲置谐振有效品质因数的主动控制。所提出的架构被实现为全集成GaAs MMIC,工作调谐范围为1.3-2.1 GHz。实验结果表明,单泵工作时可产生4.5-6 dB衰减的可调陷波;而启用第二泵后,陷波深度可提升至13.5-25 dB,分数带宽则降至5.5-6.5%,这与Q值提升的特性一致。当两个泵都关闭时,该器件还能呈现低损耗的通频特性,从而实现真正的陷波关闭状态。测量的S参数显示,双泵工作显著提升了陷波深度和分数带宽,而基于仿真的有效Q值分析也表明,这种提升是由于闲置损耗得到了补偿,因此该方案为高选择性的可重构射频滤波提供了紧凑且可扩展的解决方案。
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