《Journal of Low Power Electronics and Applications》:Wake-Up Receivers: A Review of Architectures Analysis, Design Techniques, Theories and Frontiers
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物联网(IoT)的快速增长推动了对超低功耗无线通信系统的需求。唤醒接收器(WuRXs)已成为一种关键技术,能够实现物联网(IoT)设备的节能、近乎始终开启的运行。本综述探讨了WuRXs设计的最新进展,重点关注低功耗架构、关键权衡以及近期进展。研究人员讨论了在保
物联网(IoT)的快速增长推动了对超低功耗无线通信系统的需求。唤醒接收器(WuRXs)已成为一种关键技术,能够实现物联网(IoT)设备的节能、近乎始终开启的运行。本综述探讨了WuRXs设计的最新进展,重点关注低功耗架构、关键权衡以及近期进展。研究人员讨论了在保持灵敏度、功耗和干扰抑制能力的同时实现低功耗所面临的挑战。本综述强调了从射频(RF)包络检测架构到更复杂的超外差和亚阈值设计的演变,并总结了WuRXs研究的未来方向。
2. WuRX设计规格
唤醒接收器(WuRX)的设计需在多个性能指标间进行权衡,包括功耗、灵敏度、数据速率、延迟、工作频率、干扰容限、载波频率、鲁棒性以及与标准通信协议的兼容性。功耗是首要约束,多数WuRX设计采用低于工艺标称电压的电源,使MOS晶体管工作在亚阈值区,以实现纳瓦甚至皮瓦级功耗。灵敏度通常介于-60 dBm至-90 dBm之间,通过射频(RF)前端增益级、无源匹配网络和优化基带处理电路来提升。延迟和数据速率取决于应用场景,事件驱动型系统可容忍数秒延迟,而健康与安全类应用需微秒级响应。干扰容限在拥挤的ISM频段至关重要,基于包络检测(ED)的架构对噪声和非线性失真敏感,而采用高精度本振(LO)的架构干扰抑制更强,但功耗更高。载波频率多选择sub-GHz范围(如433 MHz、915 MHz)或2.4 GHz,以利用现有协议(如Wi-Fi、蓝牙和Zigbee)。鲁棒性受工艺、电压和温度(PVT)变化影响,尤其在能量采集供电系统中,电源不稳定性会进一步降低电路稳定性。兼容性要求增加设计复杂度,但可扩展实际应用范围。
3. 当前主流唤醒接收器架构
三种主流WuRX架构包括射频(RF)包络检测架构、片上本振(LO)架构和传输本振(LO)架构。RF包络检测架构功耗最低,但干扰抑制和灵敏度受限。片上LO架构通过片上生成的LO将RF信号下变频至中频(IF),提升干扰免疫性,但时钟生成电路增加功耗。传输LO架构通过将LO信息嵌入发射信号中去除高功耗LO电路,但引入系统复杂度和协议兼容性挑战。
3.1 RF包络检测架构
RF包络检测WuRX通过包络检测器(ED)直接解调RF信号至基带,无需LO和混频器,功耗极低,适用于超低功耗应用。ED的非线性特性实现自我混频,但丢弃频率和相位信息,仅支持开关键控(OOK)调制,干扰抑制差。匹配网络提供无源电压增益和干扰滤波,其增益(dB)在ED平方律作用下使输出功率呈二次方改善。低通滤波器(LPF)和基带放大器(BBA)在极低数据速率下工作,进一步降低功耗。比较器和数字相关器检测有效唤醒信标,总功耗可低于100 nW,在-70 dBm至-60 dBm输入范围内实现小于0.1%的漏检率(MDR)。
3.2 片上本振(LO)架构
片上LO架构通过LO将RF信号下变频至基带或中频(IF),随后进行包络检测和基带处理。该架构可改善灵敏度,但LO时钟生成电路(尤其是高于1 GHz)功耗常超过微瓦阈值。可采用零中频(zero-IF)或低中频(low-IF)配置。对于OOK调制信号,零中频方式受1/f噪声影响;低中频方式通过双下变频和滤波缓解1/f噪声,但实现低功耗镜像抑制具挑战性。不确定中频(uncertain-IF)架构利用ED丢弃频率信息的特点,用压控振荡器(VCO)取代锁相环(PLL),以牺牲中频带宽和噪声为代价降低功耗。该架构可接近传统接收机结构,实现sub-mW功耗和优于-90 dBm的灵敏度,并支持多协议兼容(如BLE、Wi-Fi)。
3.3 传输本振(LO)架构
传输LO架构通过外部发射的LO信号实现频率下变频。经典双音(two-tone)实现方式利用ED的自我混频特性:RF信号与LO信号同时注入,经相互混频产生IF信号分量,再通过IF带通滤波增强干扰抑制。进一步优化包括信道嵌入开关键控(CE-OOK)和扩频技术,可提升灵敏度和噪声抑制,但增加复杂度。传输LO架构无法完全符合标准化通信协议,但可借助现有发射器发送唤醒信号,例如多载波开关键控(MC-OOK)利用Wi-Fi正交频分复用(OFDM)发射器的子载波选择实现。
4. RF包络检测架构中的关键技术
4.1 包络检测器(ED)
ED是WuRX中最关键的模块,利用半导体器件(如MOSFET、二极管、BJT)的非线性特性实现自我混频和OOK解调。RF噪声经ED后产生噪声自混频和信号-噪声混频两种变换,影响系统灵敏度。灵敏度表达式为:S = -174 dBm/Hz + NF
front-end + 10 log(B
RF) + 10 log(B
BB) + SNR
min。当RF带宽(B
RF)远大于基带带宽(B
BB)时,噪声自混频主导;反之,信号-噪声混频占优。ED分为无源和有源两类。无源ED无直流偏置电流,消除1/f噪声,是主流选择,但缺乏增益且仅支持低数据速率。多级Dickson电荷泵结构可提升电压增益,但级数增加会降低输入阻抗,需优化。差分结构可提升转换增益和灵敏度。有源ED提供更高输入阻抗和更快数据速率,适用于高速医疗监测等场景,但功耗较高。
4.1.1 无源ED
无源ED典型配置中,RF信号同时施加于MOSFET的栅极和漏极,利用非线性跨导特性实现自我混频。Dickson电荷泵结构通过级联实现电压倍增,输出阻抗与输入阻抗关系为:R
out = (N
2/2) · R
in。热噪声与级数无关,但级数增加可提升电压增益,有助于后续噪声抑制,但过多级数会降低输入阻抗,削弱匹配网络的无源增益。差分结构无需外部巴伦,可提高转换增益和灵敏度。
4.1.2 有源ED
有源ED利用MOSFET亚阈值电压-电流特性的泰勒展开二次项实现平方律行为。通过电阻或MOS有源负载将解调电流转换为电压。电流复用伪差分结构可在0.5V电源下工作,但PMOS/NMOS失配和负载变化导致输出不对称。
4.1.3 匹配网络
在RF包络检测架构中,ED前增益有限,基带噪声主导灵敏度。匹配网络提供的无源增益可有效改善灵敏度。L型和π型网络提供电压增益,表达式分别为:G
L = (Q
ind · R
in · ω) / (2R
s) 和 G
π = (Q
ind · R
in · ω) / (2R
s)。电感品质因数(Q)至关重要。多数设计采用离片电感(Q可达80以上),以避免片上电感低Q值导致的灵敏度损失。增大输入电阻R
in、减小输入电容C
in可提升无源电压增益。对于Dickson电荷泵ED,存在最优级数以平衡ED增益和输入阻抗。
4.2 基带放大器(BBA)
基带噪声严重影响低功耗WuRX的灵敏度,尤其在ED-first架构中,ED输出电压极小,需要低功耗、高增益的BBA。共源放大器(增益30-60 dB,电流纳安至微安级)广泛使用。直流偏移问题需通过共模反馈(CMFB)电路抑制。电阻反馈的CMFB因Miller效应可能降低闭环增益,大电阻占用芯片面积。无偏置BBA采用伪电阻实现CMFB,稳定PVT变化,消除偏置电压,并实现直流耦合,减少1/f噪声和启动电容。有源反馈结构可提高共模抑制和响应速度,但增加功耗。
4.3 相关器
基带放大后,信号由ADC或比较器数字化,相关器用于检测唤醒信号,无需高功耗PLL。数字相关器采用16位或更长码序列,通过汉明距离比较触发唤醒。MOSFET负载结构可提高准确度,仅在全匹配时产生高电平。曼彻斯特编码可简化同步,但降低数据速率。模拟相关器无需时钟,可抑制AM干扰,支持CDMA网络,但复杂度高、时序误差大,功耗常高于数字相关器(如11位模拟相关器功耗37 nW)。异步、无时钟架构利用泄漏供电的模拟相关器,通过延迟链和组合逻辑检测唤醒模式,但需精确校准以避免时序偏差。相位检测器自动调谐结构可自适应调整延迟,但需额外逻辑避免误触发。
5. 片上本振(LO)架构中的关键技术
片上LO WuRX利用本地振荡器下变频RF信号,提供更好灵敏度和干扰抑制。N-path混频器采用多相无源开关和电容负载,实现高频率选择性。增加路径数N可提升带外抑制,但降低占空比,增加时钟复杂度。输入阻抗取决于开关电阻和负载电阻,需与天线阻抗匹配,大N时需小负载电阻,导致大电容需求,难以片上集成。LNA-first架构可缓解此问题。时钟生成方面,环形振荡器(ring VCO)因低功耗(20-80 μW)被广泛采用,用于下变频。数字基带时钟可采用超低功耗振荡器(如0.3 nW环形振荡器、1.14 nW弛豫振荡器或0.74 nW 32 kHz晶振)。PLL在WuRX中非必需,因相位噪声和信号干扰比(SIR)要求宽松,自由运行振荡器可降低功耗,但需更宽IF带宽。在需要精确频率跟踪(如BLE/Wi-Fi信标)时,PLL仍必要,但增加功耗和启动延迟。
6. 传输本振(LO)架构中的关键技术
传输LO WuRX采用双音信号,通过ED非线性下变频至IF。双音调制:发射器同时发射RF载波和LO音调,ED输出拍频信号,经带通滤波后抑制干扰和1/f噪声。可实现-90 dBm灵敏度、19 μW功耗和-46 dB SIR。信道嵌入开关键控(CE-OOK)将BFSK预调制的IF信号以OOK调制RF载波,输出IF信号比传统双音强2 dB,简化发射器实现。多载波开关键控(MC-OOK)基于OFDM结构,兼容Wi-Fi,通过选择性激活子载波表示“1”和“0”,采用曼彻斯特编码改善时序恢复,实现-92.6 dBm灵敏度。扩频技术:双线性调频开关键控(DC-OOK)结合扩频和双音调制,利用线性调频信号实现处理增益,抑制AM干扰达41 dBc,在430 MHz ISM频段实现-103 dBm灵敏度,功耗110 μW。
7. 唤醒接收器的其他技术
7.1 占空比技术
通过周期性关闭接收器降低平均功耗,但增加延迟。位级占空比(BLDC)在每个比特周期内部分时间开启,需精确同步,所需基带带宽为10?B
BB,BLDC = 1/(T
bit),功耗为P
BLDC = β?P
inst(β为占空比)。包级占空比(PLDC)在整包期间开启,同步要求较低,但所需基带带宽为1/(3?T
bit),功耗为P
PLDC = P
inst?T
pkt/T
period。BLDC带宽仅为PLDC的三分之一,具有更低延迟和更高灵敏度,但窄采样窗口引入直流偏移和频谱泄漏,且对时钟精度要求高。
7.2 斩波技术
ED易受1/f噪声影响,斩波稳定(CHS)技术可抑制该噪声。在ED输入端插入斩波器,将信号调制到开关频率的奇次谐波,ED平方操作后信号出现在2f
chop,放大后第二斩波器将信号恢复至直流,同时将1/f噪声和直流偏移上移至高频,由低通滤波器(LPF)抑制,增强信号完整性。
8. 唤醒接收器设计的前沿
8.1 超截止区操作
传统WuRX工作在亚阈值区,但超低功耗需求(如月光下100 pW/mm
2)需进一步降低电流。当V
GS < 0时,MOS管漏电流可低于10 pA,但需负偏压。NMOS-PMOS堆叠结构可等效实现V
GS,eff = (V
G,N + V
G,P)/2 - V
th,无需额外电压源。基于此构建超截止电流镜、跨导放大器(OTA)和比较器,实现全超截止WuRX,功耗仅78 pW,可在1 lux光照下由1 mm
2太阳能电池完全供电,在450 lux下误码率(BER)优于10
-3。
8.2 亚太赫兹(sub-THz)唤醒接收器
sub-THz频段(如264 GHz)可实现天线小型化、高方向性和空间选择性。全集成WuRX采用伪差分双天线探测器,两个独立天线分别驱动冷场效应管(cold-FET)的栅极和漏极,优化功率分配和相对相位,实现最大电压响应度。匹配网络分别设计,系统在65-nm CMOS中实现,面积1.54 mm
2,响应度2.4 kV/W,噪声等效功率(NEP)10.5 pW/Hz
1/2,在1.02 kb/s数据率下灵敏度-48 dBm,功耗2.9 μW,BER达10
-3。支持电控反射阵列实现波束控制。
8.3 背向散射调制的双向通信
背向散射调制通过控制天线端口阻抗反射和调制入射信号,无需主动RF发射。结合WuRX可实现超低功耗始终监听,仅在检测到有效唤醒信号时激活背向散射通信模块。兼容Wi-Fi的系统(如[52])中,WuRX以2.8 μW功耗持续监听Wi-Fi信标包,成功检测后由晶振驱动背向散射调制器进行QPSK调制,实现与标准Wi-Fi接入点的合规通信。
9. 唤醒接收器的品质因数(FoM)
为量化比较不同架构,需建立标准化指标。基于噪声特性,功耗与灵敏度可通过归一化表达式关联:Power ∝ 1/Noise,故归一化灵敏度S
norm = -Sensitivity + 10 log(Data Rate) + 10 log(Power)。噪声源包括RF通道噪声和基带噪声,两者均与带宽相关。当B
RF >> B
BB时,噪声自混频主导,信噪比(SNR)与B
RF·B
BB成正比;当B
RF ≈ B
BB时,信号-噪声混频主导,SNR与B
BB成正比。基于此,定义FoM为:FoM
1 = -Sensitivity + 10 log(Data Rate) + 10 log(Power) - 10 log(B
BB) 和 FoM
2 = -Sensitivity + 10 log(Data Rate) + 10 log(Power) - 10 log(B
RF) - 10 log(B
BB)。对于含ADC/数字相关器的设计,可用延迟替代数据速率。不同架构适用不同FoM:RF包络检测(无滤波)适用FoM
1;含滤波(如MEMS)适用FoM
2;片上LO(窄带IF)适用FoM
2;不确定IF(宽带)适用FoM
1;传输LO通常适用FoM
2。大多数设计归一化FoM在130-140 dB之间。考虑干扰鲁棒性,提出含SIR的FoM:FoM
SIR = -Sensitivity + 10 log(Data Rate) + 10 log(Power) - SIR。片上LO架构SIR最佳,RF包络检测最差,传输LO居中。功耗与SIR呈明显权衡。