硫氰酸根界面诱导结晶技术用于高效制备准二维钙钛矿蓝光发光二极管，现已可购买

《Journal of Materials Chemistry A》：Thiocyanate interface-induced crystallization for efficient quasi-2D perovskite blue light-emitting diodesAvailable to Purchase

　　

埋入式界面在调控钙钛矿发光二极管的光电性能和运行稳定性方面起着关键作用。目前大多数策略主要集中在界面钝化上，而对钙钛矿晶体内部缺陷及其结晶过程的调控则关注较少。本研究提出了一种利用硫氰酸甲脒作为埋入式界面诱导剂的策略，能够有效调控界面性质。甲脒与[PbX₆]^4?八面体之间的氢键相互作用可以引导钙钛矿的结晶过程，延缓晶体生长从而获得高质量薄膜，优化n相分布，并钝化界面缺陷，进而提升电荷注入效率及薄膜形成质量。硫氰酸根可以与钙钛矿中未配位的Pb²⁺结合，抑制非辐射复合。同时，该诱导剂引发的声子瓶颈效应能有效阻止亮激子向暗激子的非辐射转变。因此，通过这种方法制备的纯蓝色钙钛矿发光二极管的 External Quantum Efficiency在471纳米波长下可达8.34%，相比对照组提升了三倍。本研究为提高钙钛矿发光二极管的效率和运行稳定性提供了有效途径。

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埋入式的FASCN中间层可调控钙钛矿的结晶过程，从而实现高效蓝色钙钛矿发光二极管，同时抑制非辐射损耗并提升稳定性。

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埋入式的FASCN中间层可调控钙钛矿的结晶过程，从而实现高效蓝色钙钛矿发光二极管，同时抑制非辐射损耗并提升稳定性。

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? 2026 作者。由英国皇家化学学会出版

2026

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