综述：用于下一代电子学的二维硒化铟

《International Journal of Molecular Sciences》：Two-Dimensional Indium Selenide for Next-Generation Electronics

　　

摘要

二维硒化铟（InSe）是一种用于下一代电子器件的前景广阔的材料，其特征是电子有效质量小且室温迁移率超高。本综述系统性地考察了 InSe 固有的基本物理特性及新兴量子现象。本文还探讨了最近发现的滑移铁电性，该特性打破了宏观空间反演对称性，能够在没有传统位移型离子动力学的情況下实现稳健的极化状态。文中评估了从机械剥离到可扩展自下而上金属有机化学气相沉积的技术进步。本综述还涵盖了基于 InSe 的先进架构，包括 3 nm 以下节点的逻辑晶体管和非易失性铁电突触器件。最后，在未来的低功耗和神经形态计算背景下，讨论了涉及化学计量控制、后道工艺兼容集成和环境不稳定性的关键挑战。