荧光纳米金刚石的离子浓度与电压成像

《Advanced Materials》:Ion Concentration and Voltage Imaging With Fluorescent Nanodiamonds

【字体: 大 中 小 】 时间:2026年08月31日 来源:Advanced Materials 29.1

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  金刚石中的氮-空位(NV)中心以不同的电荷态存在,且具有不同的光致发光特性,这些特性对纳米尺度的电化学环境十分敏感。因此,NV电荷态正成为一种功能强大的全光学纳米尺度传感与成像平台。尽管在块体金刚石中工程化近表面NV中心已取得重大进展,但在荧光纳米金刚石(FN

  
金刚石中的氮-空位(NV)中心以不同的电荷态存在,且具有不同的光致发光特性,这些特性对纳米尺度的电化学环境十分敏感。因此,NV电荷态正成为一种功能强大的全光学纳米尺度传感与成像平台。尽管在块体金刚石中工程化近表面NV中心已取得重大进展,但在荧光纳米金刚石(FNDs)中控制NV电荷态仍具有挑战性,这限制了基于FND的电荷态传感的灵敏度和可靠性。在这项研究中,我们证明了在小于30 nm的FNDs中,通过表面氧化和氢化,可以在发光的NV0态与暗态(很可能是NV+态)之间实现可靠、可逆的切换,该结果适用于单颗粒和颗粒粉末。在水系电化学电池中,我们展示了基于透明基底上自组装FND层中NV电荷态的电压和离子浓度成像。施加的电压可可靠地调制FND的光致发光(PL),灵敏度高达16 mV Hz?1/2。FND的PL也受到局部盐浓度变化的调制,灵敏度高达每毫摩尔NaCl 1.8%,从而实现了微尺度离子浓度梯度的全光学成像。我们的研究结果标志着在实现具有亚微米空间分辨率的快速、稳定、可扩展的纳米尺度电荷和电压成像技术方面迈出了重要一步。
### 基于荧光纳米金刚石NV电荷态的电压与离子浓度成像研究解读

#### 1. 研究背景与问题

金刚石中的氮-空位(NV)中心可呈现三种电荷态:NV?、NV0和NV+。其中,仅NV?和NV0具有光致发光特性,且仅NV?拥有可光学寻址的自旋,可用于基于自旋的量子传感。基于NV?自旋的量子传感已在温度、磁场、pH等测量中得到广泛研究,但自旋操控通常需要微波场,而微波被水等液体强烈吸收,限制了其在生物学和化学领域的应用。NV电荷态传感应运而生,其原理是利用NV中心响应局部电化学环境变化而可逆地接受或释放电子,从而改变NV的光致发光(PL)颜色或强度,实现全光学检测。该方案无需微波,具有广阔的应用前景。

然而,实现高效的电荷态传感依赖对NV中心与金刚石表面距离和表面化学的精确控制。在块体金刚石中,近表面NV中心的工程化已较为成熟,但对于尺寸小于30 nm的荧光纳米金刚石(FNDs),控制NV电荷态仍然十分困难。已有的基于FND的电荷态传感研究进展有限,存在灵敏度低、响应不可靠等问题。因此,开发可靠、可扩展且灵敏度高的FND电荷态调控与成像技术,是该领域亟待解决的关键问题。本文研究人员针对上述挑战,系统研究了亚30 nm FNDs表面的氧化与氢化对NV电荷态的可逆调控作用,并探索了基于该效应的电压和离子浓度全光学成像技术。

#### 2. 研究内容与总体结论

研究人员通过表面氧化和氢化处理,在亚30 nm的FNDs中实现了NV0态与暗态(很可能是NV+态)之间可靠、可逆的切换。氧化表面具有正电子亲和势(PEA),稳定了NV0电荷态;氢化表面具有负电子亲和势(NEA),促使电子从近表面NV转移到表面受主态,形成耗尽层,使NV转化为非发光的NV+态。在水系电化学电池中,研究人员进一步证明了基于自组装FND层的电压和离子浓度成像。施加的电压可可靠地调制FND的光致发光PL,灵敏度高达16 mV Hz?1/2;局部盐浓度的变化也能调制PL,灵敏度高达每毫摩尔NaCl产生1.8%的PL变化。该研究为实现具有亚微米空间分辨率的快速、稳定、可扩展的纳米尺度电荷和电压成像技术迈出了重要一步,相关成果发表在《Advanced Materials》。

#### 3. 主要关键技术方法

研究人员采用了多种关键技术手段。材料制备方面,使用3种不同来源的FNDs:Adamas Nanotechnologies(美国)的20 nm氧化FNDs、Pureon(瑞士)的18 nm FNDs以及Nabond(中国)的120 nm FNDs。后两者经2 MeV电子辐照、氩气退火和空气退火处理以生成NV中心和氧化表面层。氢化处理是在800°C的合成气体(5% H2/95% N2)中进行,氧化处理则通过UV-臭氧清洁器实现。表面化学表征使用傅里叶变换红外光谱(FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)。胶体性质通过Zeta电位和动态光散射(DLS)测量。光学表征使用自建的共聚焦PL显微镜(532 nm激发)和宽场荧光显微镜。离子浓度分布通过基于Nernst–Planck方程的COMSOL有限元数值模拟计算。同时,原子力显微镜(AFM)用于形貌表征。

#### 4. 主要研究结果

**4.1 FNDs中NV电荷态的可逆切换**

研究人员将20 nm FND-Oxy颗粒自组装在带有标记的石英基底上,依次进行氢化和UV-臭氧处理。共聚焦PL成像显示,氢化后PL强度大幅降低(平均从87 kcps降至25 kcps),而UV-臭氧处理后PL强度显著恢复(升至61 kcps)。PL光谱显示氮-空位(NV0)的零声子线(ZPL)位于575 nm,且氢化后PL寿命从约27 ns缩短至11 ns,表明NV0的非辐射跃迁速率增加。结果表明,通过退火氢化与UV-臭氧氧化可实现亚30 nm FND中NV0与暗态(NV+)之间的可逆切换。

**4.2 ND粉末的可扩展功能化**

对18 nm和120 nm的FND粉末进行氢化处理后,FTIR光谱显示O─H和C═O峰(约1630和1780 cm?1)显著降低,同时出现C–H峰(2835和2930 cm?1)。XPS显示氧含量从9.9%降至1.4%,而UV-臭氧处理后恢复至9.9%。Zeta电位从负值(约-30 mV)转变为正值(约+40 mV)。氢化后,18 nm FND的NV0 PL降至检测阈值以下,而120 nm FND的PL仅降低39%。一维能带弯曲模型计算表明,耗尽层厚度约8 nm,对于18 nm颗粒几乎所有NV都处于该层内,而对于120 nm颗粒仅约35%的NV受影响,与PL变化定性吻合,证实了小尺寸FNDs NV表面近邻效应的关键作用。

**4.3 宽场电压传感与成像**

在ITO电极上的电化学电池中(含170 mM NaCl),对FND-Hyd施加从+1 V到-1 V的斜坡电压时,PL单调变化,在-1 V时ΔPL为+42%,在+1 V时为-23%。FND-Oxy的PL变化则很小(25%)。基于-0.2 V至+0.2 V区间的斜率,最佳聚合体的散粒噪声限制灵敏度达到16 mV Hz?1/2。在36个重复电压脉冲(0 V、+1 V、-1 V各20秒)中,FND-Hyd表现出高度可重复的ΔPL(-1 V时36%、+1 V时-22%),标准偏差仅为4.2%和5.3%。施加正电压使能带进一步上弯,导致NV0→NV+转换、PL降低;负电压则相反。宽场成像显示,所有98个颗粒对电压极性都呈现一致的响应。

**4.4 宽场离子浓度成像**

在Pt电极间距160 μm的体系中(1.7 M NaCl),施加电压产生NaCl浓度梯度,FND-Hyd颗粒(非电极接触)的PL空间分布与COMSOL模拟的Δ[NaCl]时空动态高度吻合。施加+1 V时,近阳极处PL增加(最大+17%),近阴极处PL降低(最大-11%)。定量分析显示,ΔPL与局部Δ[NaCl]呈非线性关系(可用Sigmoidal拟合),峰值响应约0.45% mM?1。在不施加电压的静置实验中,逐步添加NaCl溶液使浓度从0升至2 M,FND PL随盐浓度增加而增加(首步为+4.9%),证明盐浓度本身即可调制PL。这些结果表明,离子引起的金刚石-电解质界面双电层(EDL)变化可能是NV电荷态调制的关键机制。

#### 5. 讨论与结论

在讨论部分,研究人员指出钠离子(NaCl)浓度梯度通过调制金刚石-液体界面的双电层结构影响NV0的PL强度。电压实验中观察到的PL时间动态与离子扩散模型吻合,表明离子效应不可忽略。虽然电压的直接电场效应较弱(约2 V/m,不会引起可测量的PL变化),但离子浓度变化是主要驱动力。研究结论指出,通过表面化学工程,可在亚30 nm FNDs中实现NV0与NV+态的可靠可逆切换,并且氢化FNDs的PL对电压和离子浓度均具有高灵敏度响应(电压灵敏度16 mV Hz?1/2,离子浓度灵敏度高达1.8%每毫摩尔NaCl)。该研究为开发可扩展、成本低廉的全光学纳米尺度电压与离子浓度传感器奠定了基础,在神经科学、电化学及微流控等领域具有重要应用前景。
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