摘要
准确估算半导体刻蚀过程中的温室气体（GHG）排放，需要获取与工艺相关的信息，包括工艺气体的未反应比例（1?Ui）和副产物生成率（Bi）。然而，2019年IPCC指南中提供的默认排放因子在反映实际工艺条件的变化方面能力有限，例如晶圆尺寸和等离子体强度等。本研究使用一个旨在模拟韩国代表性制造条件的半导体刻蚀试验台，测量了SF?和NF?的1?Ui和Bi值。实验在三种等离子体强度条件（偏压分别为150 V、200 V和250 V）下，分别使用200 mm和300 mm晶圆进行。将测量值与2019年IPCC指南中提供的默认排放因子进行了比较。结果表明，SF?和NF?的1?Ui值均随晶圆尺寸和等离子体强度的不同而变化，且总体呈随等离子体强度增加而降低的趋势。相比之下，Bi的响应模式因副产物种类的不同而有所差异，在各工艺条件下未观察到一致的变化趋势。与IPCC默认排放因子的比较发现，根据工艺气体、晶圆尺寸和副产物种类的不同，存在显著差异，表明通用的默认因子在某些运行条件下可能会高估或低估实际排放量。本研究提供了基于实测的工艺级数据，可为国家特定（二级）和设施特定（三级）排放因子的开发提供支持，有助于提高半导体刻蚀过程中温室气体排放估算的准确性。
