通过氮腈功能化铁茂D-A结构中的氟工程调控电阻式存储器的性能 （Open Access）

《Materials Advances》：Tuning Resistive Memory Performance Through Fluorine Engineering in Nitrile-Functionalized Ferrocene D-A ArchitecturesOpen Access

　　

为了应用于非易失性有机存储设备，系统地设计并合成了一系列含有氧化还原活性的供体-π-受体’/供体’(D-π-A’/D’)分子。这些分子以铁苯作为富电子供体，结合了共轭的苯乙炔桥以及不同的供体/受体单元。该系列还包括氟取代的类似物，以研究氟对电荷传输和电阻开关行为的影响。全面的光学、电化学和理论研究揭示了铁苯供体到受体部分之间的高效分子内电荷转移。循环伏安法证实了Fe(II)/Fe(III)的可逆氧化还原转换，其电化学带隙范围为2.27-2.73 eV。所有化合物均表现出稳定的非易失性电阻开关特性，开/关电流比为10^2-10^5，经过100次循环后仍具有优异的耐久性，保持时间超过4000秒。氟化化合物在较低的电压下即可发生切换，同时保持了更高的开/关电流比，并且有趣的是，它们还具有多级存储状态。密度泛函理论（DFT）的结果支持了实验观察结果，并提出了相关机制，表明电荷转移与以铁苯为中心的氧化还原活性协同作用。总体而言，这些发现表明，铁苯和氟的联合使用能够提供性能强大的有机存储材料，且运行能耗相对较低。

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? 2026 作者。由伦敦皇家化学学会出版

2026

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