大尺寸SnS2单晶的固态合成与光电性能

《Crystal Research and Technology》：Solid-State Synthesis and Optoelectronic Properties of Large-Sized SnS2 Single Crystal

　　**摘要**

二维层状金属硫属化合物SnS2因其出色的电子和光电性能而备受关注，而大尺寸的SnS2单晶则是制造高性能SnS2基器件的重要组成部分。目前，化学气相传输（CVT）是生长SnS2单晶的主要技术，但该方法严重依赖于传输剂。此外，这些传输剂的残留可能会引入额外的点缺陷，从而降低晶体的纯度及其光电性能。在本研究中，采用了一种简单的固态方法来生长无需传输剂的高质量SnS2单晶。X射线衍射（XRD）结果证实晶体沿（001001$\hskip.001pt 001$）方向生长。SnS2单晶的拉曼光谱在313 cm?1处显示出特征峰，表明该晶体属于2H-SnS2构型。其带隙为2.12 eV，观察到一个中心位于567 nm处的光致发光（PL）发射峰，平均PL寿命为3.73 ns。光电测量显示SnS2单晶具有快速且稳定的响应特性，响应时间（????τr）为47 ms，恢复时间（????τf）为121 ms。

**利益冲突**
作者声明不存在利益冲突。

**数据可用性说明**
支持本研究结果的数据可向通讯作者索取。出于隐私或伦理考虑，这些数据并未公开。