激光退火可以调节高温处理过的掺铜β-Ga?O?薄膜近表面区域的铜相关化学状态以及能带边缘的变化

《Applied Surface Science》：Laser annealing modulates near-surface Cu-related chemical states and band-edge evolution in high-temperature-treated Cu-doped β-Ga 2O 3 thin films

　　

• •
  激光退火（LA）提高了晶体的有序性，并重组了近表面Cu的配位结构。
• •
  Cu的引入降低了E_F与E_VBM之间的能量差，促进了施主-受主补偿，使得空穴行为更加明显。
• •

  引言

  章节摘录

  薄膜制备和生长后的处理

  作为薄膜表征的基底，使用了掺杂有Fe的高电阻率β-Ga₂O₃单晶体（5 × 5 × 0.5 mm³）。在沉积前，这些基底依次在丙酮、无水乙醇和去离子水中超声清洗15分钟，然后进行N₂干燥。磁控溅射在9.0 × 10^?4 Pa的基压和500 °C的基底温度下进行。

  激光退火处理窗口的优化

  结论

  $(\bar{\text{2}}\text{01)}$
  摇摆曲线半高宽（FWHM）从260弧秒降低到140弧秒。在这种条件下，增加Cu的掺量会轻微地引起各向异性和空间分布的不均匀性

利益冲突声明

致谢

相关新闻

生物通微信公众号

生物通新浪微博

微信

新浪微博

我要投稿

• 搜索
• 国际
• 国内
• 人物
• 产业
• 热点
• 科普

热搜：β-Ga2O3|Cu 掺杂|激光退火|施主 - 受主补偿|空穴传输|结型器件

热点排行