引言
无钴富锂锰基正极材料(LNM)因其高比容量(>300 mA h g?1)、高工作电压(>3.8 V)和丰富的锰资源,作为下一代高能量密度锂离子电池正极材料备受关注 [1], [2], [3], [4], [5]。然而,其实际应用受到以下两个相互关联的原子尺度难题的严重制约:Li2MnO3相中晶格氧在高压下发生不可逆氧化还原行为,导致产氧、电解液分解和初始库仑效率低 [6], [7], [8], [9], [10];以及Mn3+引发的Jahn-Teller效应导致[MnO6]八面体动态畸变,触发从层状结构到尖晶石/岩盐相的不可逆相变,累积晶格各向异性应变并引起过渡金属离子溶解,最终导致电压衰减和容量快速衰减 [3], [11], [12], [13]。因此,迫切需要同时稳定晶格氧骨架并调控Mn的局域电子结构,以充分理解LNM的实际应用潜力。
表面包覆被广泛用于减少LNM正极材料的固有缺陷。传统的包覆体系,包括Al2O3 [14], [15], [16], [17]、TiO2 [18], [19], [20], [21], [22]、Li3PO4 [23], [24], [25], [26], [27]以及其他金属氧化物,主要作为惰性物理屏障,仅通过单侧表面调控钝化电极-电解液接触并独立调控氧空位浓度或过渡金属(TM)价态,而缺乏对Mn八面体畸变和晶格氧稳定性的协同控制。即使是导电性包覆层如聚吡咯 [28], [29], [30], [31]和碳材料 [32], [33], [34], [35], [36],也主要是增强体相电子传输,而未建立强化学耦合键来调控原子尺度的Mn–O轨道相互作用或锚定表面晶格氧。因此,大多数已报道的表面改性策略仍然局限于被动保护,未能解决由电子结构重排引起的根本性结构退化问题。
尽管二维层状MoS2具有高本征导电性和独特的层间离子传输通道 [37], [38], [39], [40], [41],但此前的研究主要将MoS2归类为简单的物理保护层或离子导电层,而忽视了其与LNM氧化物晶格之间强异质界面电子耦合效应。与先前报道的传统单一功能活性/非活性包覆层(主要分别调控氧空位或TM价态)不同,本研究所开发的超薄共形MoS2纳米片包覆层,通过整合强烈的异质界面轨道杂化和电荷转移,实现了电子和结构调控的协同双重效果。界面电子重分布重构了表面Mn中心的局部配位环境,提高了Mn–O键共价性,并阻止了长程Jahn-Teller八面体晶格畸变;而原位生成的S–O界面键则牢固地固定了表面晶格氧并抑制了不可逆的产氧反应。与文献中常报道的电化学惰性氧化物包覆层不同,导电性层状MoS2参与可逆氧化还原反应并在异质结处建立连续的快速Li+传输通道。异质界面电荷重塑了表面Mn3+的电子构型,消除了其固有的轨道不对称性,从而避免了引发晶格损伤的问题。这种全面的协同调控效应是传统包覆方法(仅限于单独调控空位或金属价态)难以实现的。
为验证所提出的机制,本研究了构建了LNM表面的MoS2界面层(MoS2@LNM),并证明其既可作为物理屏障,又可通过界面电子耦合主动调控正极材料近表面区域的氧空位形成能和过渡金属电子态。结合密度泛函理论(DFT)计算和多尺度表征分析表明,MoS2界面同时抑制了晶格氧活性并减轻了Jahn–Teller畸变,协同提高了材料的结构完整性和电化学稳定性。本研究提出了一种基于"界面电子调控"的协同稳定策略,克服了传统包覆方法仅依赖物理隔离的固有局限性,为设计兼具高能量密度和长循环寿命的层状氧化物正极材料提供了新思路。所提出的策略可进一步推广到其他受晶格氧损失和结构畸变影响的储能系统,为下一代高稳定性电极材料的理性设计提供了新方向。