从乙炔 (C2H2) 中去除二氧化碳 (CO2) 是一个要求严格的纯化步骤,因为这两种气体具有几乎相同的分子尺寸和密切相关的理化性质 [1]。C2H2 是聚合物、精细化学品和先进功能材料的重要原料 [2], [3]。但常见的生产路线——包括烃类裂解、煤基转化和甲烷部分氧化——通常会产生 CO2 作为主要杂质 [4], [5]。因此,高效的 CO2 去除对于生产高纯度 C2H2 至关重要。CO2 和 C2H2 相似的动力学直径 (~3.3 ?)、分子几何形状和极化率放大了这一挑战 [6]。
工业 CO2/C2H2 纯化通常基于溶剂吸收或低温蒸馏,两者都涉及高能耗、复杂的操作和巨大的工艺成本 [7], [8]。吸附分离提供了一种潜在的低能耗替代方案,具有简单的循环操作和高工艺灵活性 [9], [10], [11]。逆 CO2/C2H2 分离特别具有吸引力,因为吸附剂选择性保留 CO2,而 C2H2 直接在流出物中回收,避免了额外的 C2H2 解吸步骤 [6], [12]。然而,实现这一行为很困难,因为许多多孔吸附剂优先结合 C2H2 [13], [14]。
金属有机框架 (MOFs)、共价有机框架 (COFs) 和相关多孔固体通过对孔径和吸附位点化学的精确控制,取得了重大进展 [15], [16], [17]。然而,它们的更广泛工艺实施可能受到合成成本、水热稳定性或规模化的限制。沸石提供了互补的优势,包括低成本、高热和化学稳定性、明确的微孔以及成熟的工业制造技术 [18], [19], [20], [21], [22]。因此,开发结合强逆 CO2/C2H2 选择性与实用合成和再生的沸石吸附剂具有特别的兴趣 [1], [6], [23], [24], [25]。
丝光沸石 (CHA) 是一个有前途的平台,因为其三维骨架包含通过狭窄的八元环 (8R) 窗口连接的 cha 笼 [26]。对这些孔道的分子可及性对骨架组成和电荷补偿骨架外阳离子的分布高度敏感。低硅 CHA 含有高密度的骨架铝,因此相应地具有高数量的骨架外阳离子,这可以修饰局部静电场、孔可及性和客体分子扩散 [27]。
阳离子位置与孔可及性之间的这种耦合产生了分子活板门效应。位于 8R 窗口处的大碱金属阳离子可以作为动态门:与受限阳离子强烈相互作用的客体分子可以诱导可逆的门控开启并进入 cha 笼,而弱相互作用的分子保持动力学排斥 [28]。最近,Wang 等人报道了一种低硅 K-CHA (Si/Al = 2.0) 吸附剂,具有 4350 的 IAST CO2/C2H2 选择性。里特瓦尔德精修将 K+ 阳离子定位在 CHA 骨架内,而 DFT 和 AIMD 计算揭示了协同的阳离子 - 气体迁移。这些结果确立了阳离子调节分子传输作为逆 CO2/C2H2 分离的有效策略 [29]。
第二个挑战是可持续地生产此类吸附剂。流化催化裂化 (FCC) 产生大量废催化剂,其中仍含有丰富的富 Si 和富 Al 相,但通常被视为固体废物 [30], [31]。废 FCC 催化剂已被重复利用为沸石前驱体,然而许多报道的路线需要碱熔、酸浸、微波处理或其他活化步骤,增加了化学和能源消耗 [32], [33], [34], [35]。因此,从未经处理的 FCC 废物到高价值气体分离沸石的直接路线将提供工艺和资源效率优势。
在此,我们通过一锅法水热路线直接将非碱激活的废 FCC 催化剂转化为低硅 CHA,无需 OSDA、氟、晶种或催化剂预处理。然后我们利用富含铝的骨架系统地调节骨架外阳离子的身份和密度,并确定这些变量如何控制逆 CO2/C2H2 分离。平衡吸附、动态穿透实验、DFT 计算和混合 GCMC/MD 模拟共同表明,8R 受限的 K+ 离子创建了一个分子活板门,选择性允许 CO2 传输同时限制 C2H2。改变骨架 Si/Al 比进一步揭示了最佳的 K+ 群体,平衡了门控效率与可及吸附体积。与之前的研究不同,之前的研究使用了高纯度前驱体,本研究侧重于一种成本效益高且可持续的路线,直接将废 FCC 催化剂转化为低硅 CHA。尽管废原料具有组成复杂性和残留杂质,所得材料保持了明确的 CHA 结构,并提供高选择性的逆 CO2/C2H2 分离。因此,这种废物衍生路线将 K 调节分子筛从模型、高纯度系统扩展到更实用和资源高效的吸附剂平台。