输出功率密度为 21.1 W/mm 的 Ka 波段 V 沟槽 AlGaN/GaN/AlN HEMT

《IEEE Microwave and Wireless Technology Letters》：Ka-Band V-Gate AlGaN/GaN/AlN HEMT With 21.1-W/mm Output Power Density

　　

摘要：

本研究报道了一种用于毫米波（mm-wave）应用的高功率AlGaN/GaN/AlN高电子迁移率晶体管（HEMT）。得益于AlN缓冲层提供的增强的二维电子气（2DEG）约束以及带斜面场板（SFP）的V形栅极实现的降低电场，该器件实现了189 V的击穿电压（VBR）和1.84 A/mm的最大漏极电流密度（Id,max）。在30 GHz脉冲模式下的大信号性能显示，在60 V的漏源电压（Vds）下，最大输出功率密度（Pout,max）为21.1 W/mm，优于此前报道的毫米波GaN HEMTs。